实空间转移晶体管研究进展

实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件 ,具有高频、高速、可控负阻等显著优点 ,可大大简化集成电路的复杂程度。文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理 ,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结 ,对其在单器件逻辑单元、光电逻辑等领域的应用进行了重点介绍 ,并展望了今后该类器件的研究方向。

双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制

报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。