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室温电化学方法制备SrMoO_4薄膜
被引量:
4
1
作者
高道江
赖欣
毕剑
《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2002年第5期497-499,共3页
采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备白钨矿结构的SrMoO4 薄膜 ,控制电化学反应的工艺条件为电流密度为 1mA cm2 、电解液的pH值为 13、电化学处理时间为 1h ,SEM和XRD分析结果表明制备的SrMoO4 薄膜为表面均匀致密且平均...
采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备白钨矿结构的SrMoO4 薄膜 ,控制电化学反应的工艺条件为电流密度为 1mA cm2 、电解液的pH值为 13、电化学处理时间为 1h ,SEM和XRD分析结果表明制备的SrMoO4 薄膜为表面均匀致密且平均粒径为 2 μm的四方晶系单相薄膜 .
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关键词
室温电化学方法
制备
SrMoO4薄膜
电化学
反应工艺
恒电流
白钨矿结构
电化学
合成
电极电位
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职称材料
题名
室温电化学方法制备SrMoO_4薄膜
被引量:
4
1
作者
高道江
赖欣
毕剑
机构
四川师范大学化学与生命科学学院
出处
《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2002年第5期497-499,共3页
文摘
采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备白钨矿结构的SrMoO4 薄膜 ,控制电化学反应的工艺条件为电流密度为 1mA cm2 、电解液的pH值为 13、电化学处理时间为 1h ,SEM和XRD分析结果表明制备的SrMoO4 薄膜为表面均匀致密且平均粒径为 2 μm的四方晶系单相薄膜 .
关键词
室温电化学方法
制备
SrMoO4薄膜
电化学
反应工艺
恒电流
白钨矿结构
电化学
合成
电极电位
Keywords
SrMoO 4 film
Eletrochemical method
Galvanostatic
Room temperature
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O646.54 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
室温电化学方法制备SrMoO_4薄膜
高道江
赖欣
毕剑
《四川师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2002
4
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职称材料
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