用于室温红外探测器热敏材料的PECVD掺硼a-Si薄膜的研究

采用PECVD法制备用于室温红外探测器中热敏感材料的掺硼a-Si薄膜。通过系统地研究气体流量、射频功率与衬底温度等制备工艺条件与薄膜的电导率、含氢量和电阻温度特性的相关性,得到了最佳的工艺条件,并利用其制备出了探测灵敏度高达2.17×108cmHz1/2W-1的a-Si室温红外探测器。

室温红外探测器研究与进展

简要概述了室温红外探测器技术的最新研究现状,首先根据工作机理的不同对红外探测器进行了分类,详细阐述了室温红外探测器的优点所在;接着在给出了室温红外探测器典型结构的基础上,对这些典型结构进行了比较和讨论;给出了最近出现的几种新型探测器,介绍了其工作原理、制作工艺和主要性能指标;最后对室温红外探测器的发展方向进行了预测。

基于MOSFET漏电流温度特性的室温红外探测器

基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器。它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构。MOSFET在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路。分析表明,探测器的探测率可高达109～1010cmHz1/2W-1。

新型SiO_2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。

非晶硅TFT室温红外探测器的光学特性研究

针对非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的实际结构,提出了两种计算红外吸收率的数学模型,并结合光学导纳矩阵法研究了它的光学特性。对钝化层的结构和材料进行了优化设计,并用在了实际阵列的制作中。

北京市成功研制出国际首个碳纳米管室温红外成像探测器

近日，在北京市科委纳米科技专项支持下，北京大学彭练矛教授团队成功研制出具有成像功能的碳纳米管薄膜室温红外探测器，这是北京市纳米领域取得的义一项重大成果。 红外成像探测器在信息、工业、科研、医疗等领域具有非常重要的应用，现有的高性能可成像红外探测器通常需要依靠低温冷却来减少背景和不同类型辐射的影响，不但价格昂贵，并且对我国禁运。

用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a-SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。

光学工艺 微细加工技术与设备

TN305 2005010726 全数字化激光直写转台系统=An all-digital rotating platform system for laser direct writer[刊,中]／梁宜勇(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室．浙江,杭州(310027))∥光电工程．-2004,31(5)．-1-3,10 为提高极坐标激光直写设备的性能,设计了全数字化的转台系统,增强了与平台、调焦、光强系统的同步。提出数字锁相积分、可编程PID控制及变周期稳速判据等概念,并应用于转台控制器设计。配合改进的快速光强调制系统,使极坐标激光直写设备具备制作精确环、任意孤和变宽线条的能力。图5参5(严寒)

光电子技术

0307079半导体制冷控温酶反应检测仪[刊]/肖建军//仪器仪表学报.—2002,23(6).—551～555(E)介绍了一种适合进行酶反应动力学分析的仪器。仪器主要由微控制器、仪器放大器、模块电源、半导体制冷器、单色器、可动比色皿架和光电倍增管等组成。活动比色皿架的温度可以调节并恒定在所需要的温度,温度的控制范围为5℃～60℃,在恒温状态温度的波动范围为0.1K。仪器可按设置的时间间隔自动存储检测数据。