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CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁
被引量:
5
1
作者
柴春林
杨少延
+2 位作者
刘志凯
廖梅勇
陈诺夫
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期780-782,共3页
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这...
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
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关键词
CeO2/Si薄膜
室温蓝光发光
低温紫
光
致
发光
薄膜结构
发光
机制
能级跃迁
双离子束外延技术
原文传递
题名
CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁
被引量:
5
1
作者
柴春林
杨少延
刘志凯
廖梅勇
陈诺夫
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第8期780-782,共3页
基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036505)
国家自然科学基金(批准号:60206007)资助项目
文摘
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
关键词
CeO2/Si薄膜
室温蓝光发光
低温紫
光
致
发光
薄膜结构
发光
机制
能级跃迁
双离子束外延技术
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁
柴春林
杨少延
刘志凯
廖梅勇
陈诺夫
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
5
原文传递
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