ABO_3型钛铁矿结构化合物的容差因子

通过结构解析,建立了ABO_3型钛铁矿的容差因子计算公式以评估结构的稳定性,经过分析具有钛铁矿结构的MgTiO_3、NiTiO_3、CoTiO_3、ZnTiO_3以及(Zn_(1-x),M_x)TiO_3(M为Mg、Ni、Co)复合钛铁矿的稳定性,验证了容差因子公式的合理性;通过对已发现的具ABO_3型钛铁矿结构的化合物的统计分析,提出形成稳定钛铁矿结构的经验容差因子范围和经验电负性差值,即:t>0.80,e>1.465.

考虑因子容差的多响应稳健优化设计

针对现有多响应优化方法很少同时优化结果的最优性和稳定性,以及忽视可控因子容差扰动的影响导致不能获得真实稳健解的问题,提出一种考虑因子容差的稳健优化设计模型。该模型将多变量质量损失函数与双响应曲面法相结合并通过熵权理论科学设置各响应均值和标准差的权重,将多响应问题转化为求解综合质量损失最小值的问题,并考虑可控因子容差扰动对最优点可行稳健性的影响,同时考虑了优化结果的最优性与稳定性,且解决了由可控因子容差扰动的影响而不能获得真正稳健解的问题。为了验证所提方法的有效性,以双曲柔性铰链为优化对象进行分析,结果表明所提方法能有效提高响应对可控因子变化的稳健性及最优点的可行稳健性。

AgNbO_(3)基反铁电陶瓷制备及其储能性能改善研究进展

电介质电容器作为重要的储能形式之一,具有功率密度高、充放电速度快等优点,已被广泛应用于新能源汽车、脉冲功率器件等领域。铌酸银(AgNbO_(3))无铅反铁电材料因具有独特的双电滞回线特性,具有较为优异的储能性能和温度稳定性,是理想的电介质储能材料。综述了近年铌酸银无铅反铁电陶瓷的制备及储能性能改善的研究进展,详细阐述了基于容差因子、离子极化率以及二者协同调控对铌酸银基陶瓷储能性能的影响规律及内在机制,并对其未来的研究方向进行了展望。

考虑因子容差的多响应曲面稳健优化

针对现有的多响应优化方法只注重某种最优性指标(例如满意度)的构建,而忽略了因子容差扰动的影响,提出了一种稳健的满意度函数法,对多响应曲面问题进行稳健优化。该方法在传统的满意度函数法的基础上,根据设计因子的容差区域定义总体满意度的稳健性度量指标,并引入混合遗传/模式搜索算法对该指标进行最大化寻优,得到因子的稳健最优水平。实例表明,随着因子容差区域的逐渐变大,该方法更容易寻找到稳健可行域中的解。与传统方法相比,所获得的稳健最优解对因子容差具有更好的抗干扰性,从而更具应用价值。

La^3＋、Li^1＋对CaTiO3微波介电性能的影响

研究了La^3＋、Li^1＋取代对CaTiO3微波介电性能的影响。在1400℃以下烧结制备Ca1-xLa2x/3TiO3（简称CLT）微波陶瓷，分析了容差因子τ对谐振频率温度系数τf的影响。在1350℃烧结4h，可制备出εr=118，τf=＋2．95×10^-4/℃，Qf=10360GHz的CLT（x=0．4）微波陶瓷。以（1叫）Ca0.6La0.2667TiO3-yLi1/2Nd1/2TiO3为代表，对（1-y）Ca1-xLa2x/3TiO3叫-yLi1/2Nd1/2TiO3（简称CLLNT）系列材料的微波介电性能进行了探讨。随着烧结温度的提高，CLLNT（x=0．4）的εr略有下降，而Q·f值略有上升。随着y值的增加，CLLNT（x=0．4）的即Q·f、τf都下降。与CLT（X=0．4）相比，虽然CLLNT（x=0．4）的Q·f值下降了，但τf得到较大的改善，同时ε仍很高，保持在100以上。

(Na,K)NbO_3基无铅压电陶瓷的研究进展

本文主要综述近几年来国内外有关(Na,K)NbO3基无铅压电陶瓷体系的加压固相烧结技术、液相助烧致密化技术、掺杂改性、相结构调控以及相关机理研究方面的研究进展和动向,并展望该陶瓷体系在医疗超声换能器技术方面的应用前景。

离子取代对铌酸银反铁电陶瓷储能性能影响的研究进展

相对于其他储能方式,电介质储能电容器具有功率密度高、循环次数高和充放电速度快等优点,因而电介质储能材料受到了广泛关注。在现有的电介质材料中,具有双电滞回线特征的反铁电材料因其具有大的饱和极化强度和小的剩余极化强度,被认为在电介质储能领域具有比铁电体和线性电介质更好的应用前景。虽然锆钛酸铅基等反铁电材料具有优异的储能性能,但由于含铅,逐渐受到限制,发展具有优异储能性能的无铅反铁电材料具有重要的意义。近年来,AgNbO_(3)陶瓷作为一种重要的无铅反铁电材料,表现出较为优异的储能性能,已被成功应用于电介质储能领域,但其储能密度和储能效率仍存在较大的提升空间。综述了AgNbO_(3)反铁电陶瓷储能性能掺杂改性的研究现状,基于电介质储能的基本原理和AgNbO_(3)结构特征,从稳定反铁电相、引入弛豫行为、晶粒尺寸效应等角度详细阐述了AgNbO_(3)反铁电陶瓷储能性能优化策略以及A位、B位及A/B位离子取代对其储能性能的影响机制,最后对AgNbO_(3)反铁电陶瓷亟待解决的问题和未来发展方向进行了展望。