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题名基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器
被引量:1
- 1
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作者
王巍
武逶
冯其
王川
唐政维
王振
袁军
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机构
重庆邮电大学光电工程学院
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期920-923,929,共5页
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文摘
提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。
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关键词
跨阻放大器
CMOS
并联电感峰化
容性退化
调节型共源共栅
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Keywords
transimpedance amplifier
CMOS
inductive-shunt peaking
capacitive degeneration
regulated cascade(RGC)
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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题名跨阻放大器的带宽扩展技术
被引量:1
- 2
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作者
韩良
张兴宝
王新胜
赵富菊
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机构
哈尔滨工业大学微电子中心
哈尔滨工业大学(威海)微电子中心
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2008年第12期41-44,共4页
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文摘
提出了一种针对CMOS跨阻放大器的带宽扩展技术.基于此技术,采用应用于0.18μm 1.8V CMOS工艺,设计了一个RGC结构的跨阻放大器.仿真结果表明,该放大器具有66dB的跨阻增益,4.49GHz的带宽,输入等效噪声电流平均值为11.5pA/(Hz)~(1/2),该电路的功耗仅为15.4mW.
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关键词
CMOS
RGC
跨阻放大器
容性退化
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Keywords
CMOS
RGC
Transimpedance amplifier
Capacitive Degeneration
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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