β^-衰变中容许跃迁和禁戒跃迁的衰变规律

在考虑容许跃迁和禁戒跃迁的基础上,对远离β稳定线附近原子核的β^-衰变寿命进行了系统的研究,发现对于远离β稳定线的原子核的β^-衰变寿命,其容许跃迁和禁戒跃迁寿命(T_(1/2))与母核的质子数和中子数之间存在指数规律.利用这个规律,计算了β^-衰变中的容许跃迁和禁戒跃迁(包括一级禁戒跃迁和二级禁戒跃迁)的衰变寿命,理论计算结果与实验值符合得很好.在此基础上,对于一些核素的β^-衰变寿命进行预言,这对于核物理和天体物理中β^-衰变研究具有重要意义.

In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱材料常温调制光谱中的允许跃迁和禁戒跃迁(英文)

用光调制透射和电调制透射两种方法研究了In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱中激子的带间跃迁,对晶格匹配的(x=0.53)或有应力的(x=0.6)宽阱材料(L_x=250(?))和窄阱材料(L_x=50(?))等四类样品的跃迁能量和展宽参数做了系统研究,实验结果与用一个有限高的方势阱模型的计算结果符合甚好.根据展宽参数与量子数n的关系,还估算出材料界面的不平整度δ_t(?)6.2(?).当对样品施加直流反偏压时,除允许跃迁外,还观察到激子的禁戒跃迁及其随电场增加的“红移”现象(QCSE效应),最大红移为20meV,所对应的场强为45kV/cm.

天体环境下^(66)Fe的电子俘获几率计算

弱相互作用几率的计算对于原子核物理和核天体物理具有非常重要的作用.本文选取在天体环境中非常重要的核素^(66)Fe,考虑一级禁戒跃迁,利用壳模型计算了^(66)Fe在不同天体环境下的电子俘获几率,着重考察了容许Gamow-Teller跃迁和禁戒跃迁的贡献.结果发现,在一些天体环境下,禁戒跃迁对于电子俘获几率有重要贡献,其中非唯一型禁戒跃迁起主要作用.我们的结果对于研究原子核弱相互作用和天体环境下的核素合成和演化具有重要作用.