宽中频CMOS下变频器单片

该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5~12 GHz。在频率为30 GHz、幅度为4 dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5~–5.5 dB。当固定IF为0.5 GHz、LO幅度为4 dBm时,变频增益随25~45 GHz的RF信号在–7.9~–5.9 dB范围内变化,波动幅度为2 dB。LO-IF,LO-RF,RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,50,43 dB。该下变频器芯片采用TSMC 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.4 mm^(2)。

一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析

本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W.

GSMR射频通信接收机的设计

本文分析了一种可应用于GSMR频段的接收机方案和部分实现。采用二次变频宽中频接收机的技术,结构明了,实用性强。文中叙述了接收机总体方案的考虑和设计。并结合实际硬件电路对该方案进行了分析和讨论。

GSMR射频通信接收机的设计

本文分析了一种应用于GSMR信号的接收机方案和部分实现。采用二次变频宽中频接收机的技术,结构明了,实用性强。文中叙述了接收机总体方案的考虑和设计。并结合实际硬件电路对该方案进行了分析和讨论。

工程上自动控制系统的设计方法

本文从自动控制系统的开环频率特性出发叙述工程上自控系统的设计方法.着重介绍系统的数学模型的简化,近似处理;预期频率特性的确定;校正装置结构的选择和参数的计算以及参数对系统性能的影响.