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宽势阱半导体光电器件研究
1
作者
陈钟谋
桂德成
+1 位作者
朱健
钱辉作
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期195-199,共5页
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达...
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
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关键词
宽势阱
光电器件
半导体
光电探测器
下载PDF
职称材料
题名
宽势阱半导体光电器件研究
1
作者
陈钟谋
桂德成
朱健
钱辉作
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期195-199,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 !(编号 :6 92 76 0 2 7)
文摘
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
关键词
宽势阱
光电器件
半导体
光电探测器
Keywords
wide barrier photoelectric device
minority carriers storehouse
potential barrier
tunnel effect
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽势阱半导体光电器件研究
陈钟谋
桂德成
朱健
钱辉作
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000
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