合肥电子储存环上新旧高频腔的尾场及耦合阻抗的计算

合肥 8 0 0MeV电子储存环的二期升级工程正在进行 ,其中高频腔的改造和加工将要完成 ,由于原有高频腔存在较多不合理因数 ,将要被新腔所替换。为了充分估计在将来运行时 ,高频腔的耦合阻抗对储存高流强的影响 ,需要对新旧高频腔宽带耦合阻抗进行比较计算。用电磁场计算软件MAFIA对高频腔的耦合阻抗及电子束在此结构中产生的尾场进行了计算 ,结果说明旧高频腔的耦合阻抗比新高频腔小。

合肥光源单束团纵向分布的测量研究

在合肥光源单束团运行模式下使用条纹相机测量其纵向分布,研究和验证引起束团纵向分布产生变化的影响因素。对势阱效应引起束团纵向分布的影响进行了理论分析,给出了电感性阻抗和电阻性阻抗对束团分布影响的模拟计算结果。进行了束团长度拉伸效应、束团势阱扭曲现象等测量研究,并讨论了条纹相机观测束团势阱扭曲现象的测量模式。根据束团长度拉伸效应和势阱扭曲与模拟计算结果对比,得出合肥光源储存环的低频纵向宽带耦合阻抗约为4.4Ω。