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高频宽带带阻石英晶体滤波器的研制 被引量:1
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作者 陈亮 尚峰 韦浪飞 《电子测试》 2018年第15期40-42,共3页
滤波器作为选频装置,是通信系统中不可或缺的重要组成部分。石英滤波器以石英谐振器为基本元件的电气滤波器,具有频率选择性好、频率稳定、过渡带陡峭和插入损耗低等多方面的优点,为防止载频漏泄产生干扰,本文研制了一种高频宽带带阻石... 滤波器作为选频装置,是通信系统中不可或缺的重要组成部分。石英滤波器以石英谐振器为基本元件的电气滤波器,具有频率选择性好、频率稳定、过渡带陡峭和插入损耗低等多方面的优点,为防止载频漏泄产生干扰,本文研制了一种高频宽带带阻石英滤波器,在去掉载频的同时,不影响通路的频率特性。试验以中心频率78.450M带阻晶体滤波器为例,其中关键元件石英谐振器采用UM-1基频晶片,电路采用了三节差接桥型带阻滤波器电路实现,每节电路由一支谐振器组成,通过调整电路元件分布参数。实现了较宽的阻带底部和较深的衰减幅度。 展开更多
关键词 宽带高频带阻晶体滤波器 UM-1型石英谐振器 基频 刻蚀调频
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基于m×n长方腔谐振器设计的光子晶体帯阻滤波器 被引量:1
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作者 吴立恒 王明红 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期135-143,共9页
为设计高带阻损耗率光子晶体滤波器(PCSBF)结构,通过选择适当的波导与长方腔谐振器耦合长度,调整长方形谐振腔大小,及内部m×n介质柱半径的大小等优化设计了该结构工作性能。用时域耦合模理论(CMT)定性分析了m×n长方腔谐振器... 为设计高带阻损耗率光子晶体滤波器(PCSBF)结构,通过选择适当的波导与长方腔谐振器耦合长度,调整长方形谐振腔大小,及内部m×n介质柱半径的大小等优化设计了该结构工作性能。用时域耦合模理论(CMT)定性分析了m×n长方腔谐振器设计的PCSBF工作特点,得到了其强耦合帯阻损耗传输状态。用时域有限差分法(FDTD)研究了1440~1625nm波长段PCSBF输出性能。PCSBF归一化帯阻率曲线谱表明该滤波器带阻波段可具有归一化损耗率高、可调谐、平顶阻帯等特性。需要的帯阻波段依赖于该微型PCSBF结构设计,在光纤通信和光路集成领域中滤除不需要的波长信号具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 应用光学 长方腔谐振器 平顶 归一化帯损耗率 光子晶体滤波器 耦合模理论
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新型D-CRLH传输线宽带带阻滤波器设计 被引量:3
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作者 雷涛 吴良威 +2 位作者 周瑞山 向天宇 朱晓维 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期62-65,共4页
提出一种新颖的对偶复合左右手传输线(D-CRLH TL)结构单元,设计了一款小型化四阶宽带带阻滤波器。通过缝隙耦合形成左手电容和右手电感,位于结构下方的矩形贴片形成右手电容,与矩形贴片相连接的短截线形成左手电感。可以通过改变矩形贴... 提出一种新颖的对偶复合左右手传输线(D-CRLH TL)结构单元,设计了一款小型化四阶宽带带阻滤波器。通过缝隙耦合形成左手电容和右手电感,位于结构下方的矩形贴片形成右手电容,与矩形贴片相连接的短截线形成左手电感。可以通过改变矩形贴片宽度和短截线的长度来调节带阻滤波器的中心频率和带宽。滤波器有效设计尺寸为11.5 mm×6.7 mm,等于0.23λ×0.13λ(λ为中心频率在自由空间的波长),尺寸较小。仿真测试结果表明该滤波器阻带中心频率为5.6 GHz,20 d B阻带带宽为50%,50 d B阻带带宽为30%。 展开更多
关键词 对偶复合左右手传输线 滤波器 宽带 带抑制 贴片 仿真
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基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC
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作者 王胜福 王洋 +3 位作者 李丽 于江涛 张仕强 李宏军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期48-53,共6页
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控... 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控制某一支路开关的导通或关断;带通滤波器由集总电感和电容组成。该开关滤波器组芯片通带频率覆盖0.8~18 GHz。探针测试结果表明,开关滤波器组芯片各个支路的中心插入损耗均小于8.5 dB,通带内回波损耗小于10 dB,典型带外衰减大于40 dB。为后续研发尺寸更小、性能更优的开关滤波器组提供了参考。 展开更多
关键词 GaAs赝配电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带 多通道滤波器 带通滤波器 开关滤波器 单片微波集成电路(MMIC)
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英飞凌全新射频功率晶体管在700MHz频带提供最高峰值功率
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《家电科技》 2008年第17期I0046-I0046,共1页
英飞凌科技股份公司近期发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长期演进)和下一代无线网络标准。
关键词 功率晶体 峰值功率 射频 移动宽带服务 频带 无线基础设施 无线网络标准 股份公司
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一维太赫兹光滤波器的模拟与制作(英文)
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作者 李玲 廖晖 +1 位作者 黄镜蓁 翟剑庞 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2012年第4期295-299,共5页
模拟并制作了基于光子带隙结构的一维太赫兹光滤波器.通过人工叠加方式制作一维周期性结构,以聚乙烯或聚四氟乙烯作为高折射率材料,用钻有圆孔的合金片作为空气层,利用太赫兹时域光谱技术测量样品在0.1~0.9 THz波段的透射谱.根据理论... 模拟并制作了基于光子带隙结构的一维太赫兹光滤波器.通过人工叠加方式制作一维周期性结构,以聚乙烯或聚四氟乙烯作为高折射率材料,用钻有圆孔的合金片作为空气层,利用太赫兹时域光谱技术测量样品在0.1~0.9 THz波段的透射谱.根据理论模拟结果,利用聚乙烯设计制作中心波长为0.3 THz的带阻滤波器,结构周期为400μm,占空比为0.5.测量的3 dB带宽为0.08 THz,与模拟结果0.07 THz基本吻合. 展开更多
关键词 太赫兹波 光子带隙 光子晶体 滤波器 透射谱 聚乙烯 折射率材料 时域光谱
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基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器
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作者 王朋 韦雪真 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期324-327,352,共5页
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,一端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容实现。芯片集成了2∶4线译码器作为控制电路,实现通道的选择和切换。芯片尺寸为3.0 mm×2.4 mm×0.1 mm。测试结果表明,三个通道的插入损耗均小于8.5 dB,带内回波损耗均小于-10 dB,带外衰减均大于40 dB。该开关滤波器芯片具有插入损耗小、隔离度高、集成度高、阻带宽的特点。 展开更多
关键词 开关滤波器 GaAs赝配电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺 带通滤波器 译码器 宽带
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