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压电弯曲元件宽度对其特性影响的研究
1
作者
鄂世举
朱喜林
高春甫
《现代制造工程》
CSCD
北大核心
2011年第1期78-81,共4页
研制了一种新型的压电弯曲元件,元件为三层结构,上下两层为压电陶瓷材料PZT-5H,中间弹性层为铍青铜。利用激光测试仪LC-2400A及LV-1610对压电弯曲元件的输出位移、位移滞环、蠕变量及基频等特性进行测量。对压电弯曲元件的宽度尺寸与其...
研制了一种新型的压电弯曲元件,元件为三层结构,上下两层为压电陶瓷材料PZT-5H,中间弹性层为铍青铜。利用激光测试仪LC-2400A及LV-1610对压电弯曲元件的输出位移、位移滞环、蠕变量及基频等特性进行测量。对压电弯曲元件的宽度尺寸与其静、动态特性之间的关系进行分析,得出压电弯曲元件的宽度参数对其静、动态特性影响较小,且没有明显的影响规律。
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关键词
压电弯曲元件
宽度特性
实验研究
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职称材料
快速退火对直流磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响
被引量:
6
2
作者
姜丽莉
辛艳青
+3 位作者
宋淑梅
杨田林
李延辉
韩圣浩
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期302-305,共4页
在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90...
在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90.1%。禁带宽度由退火前的3.68 eV变为3.75 eV。
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关键词
快速退火
直流磁控溅射
AZO薄膜
光电
特性
禁带
宽度
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职称材料
题名
压电弯曲元件宽度对其特性影响的研究
1
作者
鄂世举
朱喜林
高春甫
机构
浙江师范大学工学院
出处
《现代制造工程》
CSCD
北大核心
2011年第1期78-81,共4页
基金
浙江省钱江人才项目资助(2009R10010)
文摘
研制了一种新型的压电弯曲元件,元件为三层结构,上下两层为压电陶瓷材料PZT-5H,中间弹性层为铍青铜。利用激光测试仪LC-2400A及LV-1610对压电弯曲元件的输出位移、位移滞环、蠕变量及基频等特性进行测量。对压电弯曲元件的宽度尺寸与其静、动态特性之间的关系进行分析,得出压电弯曲元件的宽度参数对其静、动态特性影响较小,且没有明显的影响规律。
关键词
压电弯曲元件
宽度特性
实验研究
Keywords
piezoelectric element
width characteristics
experiment test research
分类号
TH16 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
快速退火对直流磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响
被引量:
6
2
作者
姜丽莉
辛艳青
宋淑梅
杨田林
李延辉
韩圣浩
机构
山东大学威海分校空间科学与物理学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期302-305,共4页
基金
国家自然基金资助项目(60676041)
山东省自然基金资助项目(Y2008A37)
文摘
在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90.1%。禁带宽度由退火前的3.68 eV变为3.75 eV。
关键词
快速退火
直流磁控溅射
AZO薄膜
光电
特性
禁带
宽度
Keywords
Rapid thermal annealing, DC magnetron sputtering,AZO films, Photoelectrical properties, Band gap
分类号
TN305.8 [电子电信—物理电子学]
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压电弯曲元件宽度对其特性影响的研究
鄂世举
朱喜林
高春甫
《现代制造工程》
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
2
快速退火对直流磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响
姜丽莉
辛艳青
宋淑梅
杨田林
李延辉
韩圣浩
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
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职称材料
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