黑体涂层宽温区红外光谱发射率特性研究(内封面文章)

为了研究高发射率黑体涂层的宽温区红外辐射特性,基于两种发射率测量装置测量了应用于不同温度场景的JSC-3和GR两种涂层宽温区3~14μm内的光谱发射率。其中JSC-3和GR涂层的测量温度范围分别是室温~1000℃和室温~150℃。分析了两种涂层光谱发射率与温度之间的关系以及不同角度下方向光谱发射率的变化。实验结果表明:宽温区内JSC-3和GR涂层在8~14μm的光谱发射率分别优于0.96和0.97,且光谱发射率保持稳定,变化量分别小于0.01和0.003。两种涂层在0°~30°内的方向光谱发射率均具有较好的一致性,变化量均小于0.005。最后利用积分球反射法得到了两种涂层在室温下3~14μm内的连续光谱发射率数据,实现了两种涂层在宽温区宽波段内的光谱发射率数据覆盖。

宽温区热敏电阻温度传感器调理电路

目前热敏电阻温度传感器电路一般采用电阻分压电路,非线性补偿温度范围一般在正温区10~100℃,非线性误差为0.5%;一些特殊应用场合要求热敏电阻测量范围在-45~+125℃。针对热敏电阻温度传感器使用温度范围越宽线性误差越大的问题,提出了一种宽温区热敏电阻温度传感器调理电路,采用精密恒流源激励,减小了热敏电阻温度传感器的自热问题,采用集成对数放大器与集成模拟乘法器进行线性化处理,调理电路具有非线性调节、零位调整、满量程调整3个功能,能够给出精确的标准电压0.1~4.9V信号,对每只热敏电阻温度传感器进行温度标定,根据标定数据进行最小二乘拟合,取得了良好的非线性和精度指标。实验结果表明:测温范围为-45~+125℃,非线性达到0.3%以下,测量误差达到±0.3℃。

宽温区双级螺杆式压缩机性能及其应用案例分析

搭建宽温区双级螺杆式压缩机与低温单级螺杆式压缩机性能测试系统,在中低温工况下对压缩机性能进行试验研究,并对某使用宽温区双级螺杆式压缩机的冷库项目进行节能效益分析。结果表明:在中低温工况下,宽温区双级螺杆式压缩机的性能较好,COP较低温单级螺杆式压缩机提高14.91%~44.06%;在某冷库项目中采用宽温区双级螺杆式压缩机,平均每天每平方米耗电量降至0.46 kW·h。

基于桥臂电阻补偿的宽温区压力传感器优化设计

针对航空领域中使用温区宽、测量介质和工作环境温差大、全温区精度要求高等特殊应用要求,通过压力芯片中桥臂电阻在不同温度下的阻值变化实现介质温度测量,并将该温度作为传感器后端调理芯片补偿的温度输入,从而消除了后端调理芯片和前端微电子机械系统(MEMS)芯片之间的温度差。同时,采用国产数字调理芯片,通过多温度、多压力点校准,实现宽温区高精度压力测量。结果表明,在-55~125℃范围内,极限180℃的温度梯度条件下,测量精度达到0.42%FS。该补偿方法不仅提高了传感器全温区精度,而且简化了电路结构、提升了产品整体可靠性,具有较好的工程化应用前景。

宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计

在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。

NiFeAlO系宽温区热敏元件的研制

研究了在Ｆｅ３Ｏ４中引入ＮｉＯ、Ａｌ２Ｏ３复合陶瓷材料的晶相结构、电阻值－温度特性及热稳定性等。通过对铁离子氧化状态及淬火工艺的调整，可得到性能优良的宽温区热敏元件。

宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。

新型宽温区压力传感器技术

为研制新型耐高温和耐低温压力传感器,提出了一种基于SOS(蓝宝石上硅)技术制造的压力传感器。所述硅-蓝宝石压力传感器采用先封装再刻制应变电阻的新工艺,制成的应变电阻和补偿用热电阻精度高、质量好,且在整个工艺流程中不使用化学药品,对环境无污染。制成的硅-蓝宝石压力传感器,可以测量在-55^+400℃宽温区范围内的流体压力,并可以同时测量温度。给出了该传感器的试验数据,得到了比较满意的结果。

宽温区高温MOS器件优化设计

全面介绍了27－300℃定温区高温MOs器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明，选取代化的设计参数可使设计的MOs器件在27－300℃宽温区工作并获得最佳高温性能。

宽温区P-型热电材料的性能表征与设计

通过对Bi2 Te3 /FeSi2 叠层热电材料的性能建模计算 ,得出了该结构的平均Seebeck系数及内电阻与热端温度的关系可分别用两个三次多项式表征。在外阻为 0 .0 734Ω ,热端温度约 5 10℃时 ,Bi2 Te3 /FeSi2 叠层热电材料的最大输出功率值与实验值较为接近 ,在相同条件下均为计算得出的单段FeSi2 材料的 2 .5倍 ,说明该方法有效、可行。对用此方法建模设计多种单段材料组合成的梯度结构 ,计算发现以两种不同成分并经相近工艺制备的均质FeSi2 材料制成的叠层结构性能较优 ,与Bi2 Te3 /FeSi2 结构有相同的最大输出功率值。但从多方面分析表明 ,用两均质FeSi2

WT3DG系列宽温区晶体管——一种BSIT的改进型器件

利用BSIT电流放大系数具有负温度系数的特点,结合目前我国半导体工艺水平研制的改进型BSIT——WT3DG系列宽温区硅高频小功率晶体管,具有良好的电性能和温度特性。是工作在-65～200℃温度范围内电子仪器的理想器件。

20～300℃宽温区热敏线性组件的研制

报导了一种具有明显变Ｂ值特性的新型宽温区ＮＴＣ热敏电阻。利用这种ＮＴＣ热敏电阻研制成了宽温区热敏线性组件（ＬＴＮ）。２０～３００℃温区内ＬＴＮ的精度优于±１．

宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应

在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区 ( 2 7～ 30 0℃ ) MOSFET基本特性深入研究的基础上 ,进一步研究了宽温区 MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明 ,由于高温下晶格散射加剧 ,使表面纵向电场对载流子迁移率的影响减弱 ,使小尺寸

闪发式宽温区空调数学模型的研究

提出将带有闪发器的补气增焓技术应用于宽温区空调系统,建立了其系统数学模型,并对其进行性能模拟分析。结果表明,采用补气增焓技术较传统单级压缩系统可降低压缩机排气温度15℃以上,有效地提高系统运行的可靠性。研究还发现,采用补气增焓技术可以有效提高系统的制冷量,但耗功的增加导致其系统COP低于传统单级压缩系统。

宽温区低漂移集成运算放大器

本文将近来研制成功的沟道基区晶体管(Channel Base Transistor,简称CBT)应用于集成运算放大器,展宽了放大器的工作温度范围,且显著减小了其失调及失调温漂等特性.有效地扩展了集成运算放大器的参数指标和应用范围.

Co—Mo/γ-Al_2O_3宽温区耐硫变换催化剂的再生研究

分析介绍了宽温区耐硫变换催化剂的失活原因及再生情况。指出在目前技术条件下，以煤、清油为原料的中、小型合成氨厂采用中变串低变，并使用再生钴—钼宽温区耐硫变换催化剂，是一种理想的选择。

宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究

以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线。利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响。用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性。研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数。对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性。

宽温区CMOS倒相器的传输特性模型

在考虑了器件高温泄漏电流的前提下 ,建立了宽温区CMOS倒相器的传输特性模型 ,明确了制约CMOS电路高温性能的主要因素以及设计的关键之处 最后 。

HG-45b宽温区环控装置研发

针对载运装备宽温区人机环控的需要,在HLD-45b环控装置应用实践的基础上,分析了中高温混合工质流动和传热特性对系统性能的影响,认为优化蒸发器结构、强化室内侧换热能力可进一步提升产品性能。根据应用需求研发了HG-45b宽温区环控装置,基于HLD-45b的室外机配套设计了壁挂式的室内机,改进蒸发盘管结构、增大换热面积和蒸发风量,并优化热力膨胀阀的匹配。新款HG-45b与HLD-45b的检测对比数据表明,制冷量提高约10%,压缩机功率降低约5%,能效比提高约14.5%,系统性能稳定,压缩机排气温度、排气压力均在安全范围内,达到了系统优化的目标。

新型宽温区高效制冷供热耦合集成系统的开发

本文介绍了一种新型宽温区高效制冷供热耦合集成系统,该系统高度集成天然工质低温制冷系统、全热回收的氨高温制热系统、谷电水蓄热系统、微压蒸汽发生系统及水蒸气增压系统于一体,形成了采用天然工质的宽温区高效制冷供热耦合集成系统的成套集成技术,实现了宽广温区范围内(-50℃~160℃)高效环保的制冷和供热,冷热联供、水气同制,达到了能源的高效及梯级利用和冷热量的优化输配的目的。