基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构,开发出低导通损耗、高关断能力及宽短路安全工作区的...基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构,开发出低导通损耗、高关断能力及宽短路安全工作区的4 500 V IGBT芯片。高温测试(Tj=125℃)结果表明,该4 500 V IGBT的导通压降(Vceon)为3 V,能够关断6.75倍额定电流,并通过了Vgeon=21.5 V、tsc=15μs的极限短路测试;4 500 V/1 200 A IGBT模块的最高工作结温Tj达150℃。展开更多
文摘基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构,开发出低导通损耗、高关断能力及宽短路安全工作区的4 500 V IGBT芯片。高温测试(Tj=125℃)结果表明,该4 500 V IGBT的导通压降(Vceon)为3 V,能够关断6.75倍额定电流,并通过了Vgeon=21.5 V、tsc=15μs的极限短路测试;4 500 V/1 200 A IGBT模块的最高工作结温Tj达150℃。
