Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性

现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念,

Ⅱ-Ⅵ族材料中的稀土离子

本文根据铕掺杂的ZnS讨论了ZnS基质中加入稀土离子的问题。确定了ESR测量时可以观察到的铕中心的对称性,并将从ESR信号中得到的浓度同采用卢瑟福-背散射(RBS)方法测定的晶体中铕的含量进行了对比。根据多个样品以及晶体结构和完整的x-射线测量值给出了稀土离子在Ⅱ-Ⅵ族化合物中溶解性的某些结论。

赵有文 半导体材料研究者

赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺陷控制、与缺陷相关的材料物理性质研究以及材料在光电子和微电子器件上应用研究。近期开展了宽禁带半导体氧化锌和氮化铝单晶材料生长的研究。

攻克宽禁带半导体P型掺杂难题

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子材料与器件研究组长期从事宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子材料和器件方面的研究,在申德振研究员的带领下,经过30余年的发展,研究组在宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体领域,尤其是在ZnO基材料、器件的研究上取得了一系列研究成果。针对缺乏高效P型材料导致高效PN结发光二级管难以制备这一世界性难题,提出了能够抑制施主补偿作用的复合掺杂新策略,为彻底解决宽禁带半导体的P型掺杂难题指明了方向。

分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心

应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (～ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类

Rashba自旋-轨道耦合下二维双极化子的基态性质

在考虑Rashba自旋-轨道耦合效应下,基于Lee-Low-Pines变换,采用Pekar型变分法研究了量子点中双极化子的基态性质.数值结果表明,在电子-声子强耦合(耦合常数α>6)条件下,量子点中形成稳定双极化子结构的条件(结合能E_b>0)自然满足;双极化子的结合能E_b随量子点受限强度ω_0、介质的介电常数比η和电子-声子耦合强度α的增大而增加,随Rashba自旋-轨道耦合常数αR的增加表现为直线增加和减小两种截然相反的情形;Rashba效应使双极化子的基态能量分裂为E(↑↑),E(↓↓)和E(↑↓)三条能级,分别对应两电子的自旋取向为"向上"、"向下"和"反平行"三种情形;基态能量的绝对值|E|随η和α的增加而增大,随αR的增加表现为直线增加和减小两种截然相反的情形;在双极化子的基态能量E中,电子-声子耦合能所占据的比例明显大于Rashba自旋-轨道耦合能所占比例,但电子-声子耦合与Rashba自旋-轨道耦合间相互渗透、彼此影响显著.

ZnCdTe／ZnTe超晶格的近带边发射特性

本文通过不同激发光强度下的光致发光实验，把Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｅ／ＺｎＴｅ超晶格（ＳＬｓ）样品的两个发光谱峰分别归结为与激子有关的和导带电子到受主的辐射复合过程．为进一步了解样品的发光特性，做了不同温度下的光致发光实验，得到了两个谱峰在高温区的激活能，即：高能峰为１２７ｍｅＶ，低能峰为１３２ｍｅＶ．