《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成

近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。

《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成

近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。

《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成

近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿 主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成

近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期专栏征稿主题:宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成

近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较

利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较,根据主要竞争国家的综合竞争地位分析,发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高,但高质量专利较少,研发机构竞争实力不足,属于技术相对落后者。最后利用SWOT分析对提高氧化锌宽禁带半导体技术的创新水平给出相应的建议。

超宽禁带半导体材料的机遇与挑战

近代半导体技术虽然仅有七十多年的历史,但已经彻底改变了社会的发展。追溯历史,不难发现半导体技术的蓬勃发展归因于半导体材料自身特殊的物理性质。半导体材料作为重要的基础材料广泛应用于晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域,已经发展成为衡量国家科技与国防实力的重要标志。

宽禁带半导体材料特性及生长技术

叙述了宽带半导体材料ＳｉＣ、ＧａＮ 的主要特性和生产长方法，并对其发展动态和存在问题进行了简要评述。

宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状

一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20世纪信息光电产业的基础。第三代宽禁带半导体材料一般是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、金刚石等材料,其具有禁带宽度大、抗辐射能力强、击穿电场强度好、耐高温等特点.

超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外,氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,是GHz级声表面波器件的优选压电材料。

“宽禁带半导体材料与器件”专题征文通知

一代材料催生一代器件,引领一代产业。以Ⅲ族氮化物、碳化硅、氧化物半导体等为代表的宽禁带半导体材料是发展高能效的半导体光电子和电力电子器件的核心基础。宽禁带半导体材料与器件围绕国民经济和社会发展的战略性、基础性和前瞻性方向,重点面向固态照明、新型半导体显示、射频电力电子以及光电探测、绿色能源等前沿领域,对于赋能低碳排放的"美丽中国建设"。

“宽禁带半导体材料与器件”专题征文通知

一代材料催生一代器件,引领一代产业。以Ⅲ族氮化物、碳化硅、氧化物半导体等为代表的宽禁带半导体材料是发展高能效的半导体光电子和电力电子器件的核心基础。宽禁带半导体材料与器件围绕国民经济和社会发展的战略性、基础性和前瞻性方向,重点面向固态照明、新型半导体显示、射频电力电子以及光电探测、绿色能源等前沿领域,对于赋能低碳排放的“美丽中国建设”,聚力“国防科技自主创新、原始创新”,“加速战略性前沿性颠覆性技术发展”以及深入推进光电子技术的发展具有重要意义。

加强宽禁带半导体材料的研发与应用

宽禁带（一般指禁带宽度〉2.3 e V）半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮;其中碳化硅（Si C）和氮化镓（Ga N）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、

宽禁带稀磁半导体材料研究进展

为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势，研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始，研究者尝试将少量的磁性原子掺人非磁性宽禁带半导体材料中，以获得磁性半导体材料，制备出集磁、光、电子一体的低功耗新型半导体电子器件。

宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望

半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石，以硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料为代表第1代、第3代半导体技术，奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础，极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展，传统的Si和GaAs半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料（即宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2．2eV）正日益受到人们的重视。

美国桑迪亚国家实验室研究出超宽禁带半导体材料将有助于缩小功率转换系统尺寸

近日，美国桑迪亚国家实验室研究人员展示了先进半导体材料制成的晶体管和二极管，性能远优于硅材料。

宽禁带半导体技术最新进展

介绍DARPA宽禁带半导体技术计划第二阶段计划目标及其演示进展情况。

2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事

为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广，本刊拟将2017年第9期辟为“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑，征文范围包括：①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法；②驱动与保护方法及电路设计；