第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇

宽禁带半导体——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是继第l代硅（si）、锗（Ge）和第2代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料之后发展起来的第3代半导体材料。

超宽禁带半导体氧化镓器件热问题的解决策略

氧化镓是一种具有超宽带隙(4.5~4.9 eV)以及高达8 MV/cm理论临界击穿场强的半导体材料,在电子器件领域正迅速崭露头角。其以卓越的电子特性被业界广泛看好,有望成为继碳化硅和氮化镓之后的新一代半导体材料,在高频、高功率应用中发挥重要作用。

机载有源相控阵火控雷达的新进展及发展趋势

回顾了有源相控阵火控雷达的发展历史,介绍了从1964年开始,国内历经30余年研制成功实用的机载有源相控阵火控雷达。机载相控阵技术的突破,引发了多种型号战斗机的火控雷达升级换代。讨论了有源相控阵体制雷达的卓越性能及未来将要采用的新技术、新材料、新器件,以满足对机载火控雷达更新更高的要求。

AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟

提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法. 在传统器件模拟软件中, 通过在异质结界面插入d 掺杂层, 利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应. 模拟了 Ga面生长和 N面生长的AlGaN/ GaN单异质结, 结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应, 而后者没 有; Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加. 以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致, 说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.