双Buck逆变器损耗分析

针对双Buck半桥逆变器,分别分析了采用传统Si开关器件和新型宽禁带Si C开关器件情况下的损耗,并制作了1台1 k W试验样机。理论分析与试验结果表明,通过独立二极管续流的双Buck型逆变器能充分发挥宽禁带Si C开关器件优势,开关损耗明显降低;随着开关频率提高,Si C开关器件损耗增加不明显,说明Si C开关器件组成的双Buck型逆变器中随开关频率变化的损耗以磁性元件损耗变化为主。