用于宽谱带发射白色发光二极管的黄色荧光粉Sr_(8)MgAl(PO_(4))_(7)∶xEu^(2+)的制备及发光性能

通过高温固相反应合成了一系列宽谱带发射黄色荧光粉Sr_(8)MgAl(PO_(4))_(7)∶xEu^(2+)(SMAP∶xEu^(2+)),并对其物质结构、发光性能及其在白色发光二极管(WLED)领域的应用进行了探究。X射线衍射(XRD)测试结果表明,SMAP∶xEu^(2+)系列荧光粉具有单斜结构和C2/m空间群,激活剂Eu^(2+)离子能够很好地进入SMAP基质中并占据Sr2+离子的晶格位点。漫反射光谱分析显示SMAP基质属于宽带隙材料,带隙宽度为3.60 eV。此外,SMAP∶xEu^(2+)具有较宽的激发范围(280~500 nm),对应于Eu^(2+)离子的4f 7→4f 65d1跃迁;在380 nm近紫外光激发下,呈现出450~800 nm的多发光中心的非对称黄光发射,发射峰位于590 nm处。基于高斯多峰拟合结果,得到3个发光中心,分别位于528、600和680 nm。最后,将已制备的黄色荧光粉SMAP∶0.05Eu^(2+)与商业化蓝粉BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu^(2+)混合涂覆到400 nm芯片上制得色温较好(3344 K)、显色指数较高(90.1)的WLED。