一种宽锁定范围的毫米波注入锁定分频器

基于GF 65nm CMOS工艺,实现了一种宽锁定范围的毫米波注入锁定(IL)分频器。采用电流复用前置放大器和双端混频,有效扩大了分频器的锁定范围,并且不产生额外的功耗。电路仿真结果表明,当调节电压在0~1.2V变化时,输入频率的锁定范围为81~110GHz。工作电压为0.8V时,电路的功耗为5.74mW。该分频器适用于75~110GHz的W-band系统。

一种毫米波宽锁定范围的注入锁定倍频器设计

为提高毫米波段倍频器在低功耗下的工作带宽,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种采用双端注入(DEI)技术的毫米波宽锁定范围注入锁定倍频器。该注入锁定倍频器主要由谐波发生器和带有尾电流源的振荡器构成,由巴伦产生差分信号双端注入振荡器的形式提高三次谐波注入强度,使其在E、W等波段输出宽锁定范围和良好相位噪声性能的三倍频信号。仿真结果表明,注入锁定倍频器在工作电压为1.2 V,输入信号功率为0 dBm时,其锁定范围在57~105 GHz内。在相同工作电压和输入信号功率下,输入频率为32 GHz时,一次、二次和四次谐波抑制大于20 dBc,功耗为9.1 mW。

一种应用于高速锁相环的宽锁定范围注入锁定分频器

针对传统的注入锁定分频器锁定范围较窄的问题,提出了一种用于毫米波锁相环的注入锁定分频器。基于55 nm CMOS工艺,设计了一种宽锁定范围的二分频注入锁定分频器。提出分布式差分注入的方式,增强注入电流与注入效率,采用高阶变压器作为谐振腔,在不使用调谐机制的条件下,有效增大了分频器的锁定范围。此外,还对传统buffer的结构进行改进,增强谐波抑制能力,保持了较宽的锁定范围。电路仿真结果表明,提出的分频器电路在0 dBm注入功率下可在22.8~36.3 GHz频段内完成二分频功能,达到45.7%的锁定范围,电路的功耗为3.54 mW(不含buffer)。

一种宽锁定范围多模2/3/4/5分频LC注入锁定分频器(英文)

提出了一种工作于3.55-12.15 GHz的2/3/4/5分频的注入锁定分频器(ILFD).该分频器使用了一种新颖的多模分频模块来提高注入节点的阻抗,从而增强高阶谐波并在4种分频比之间进行切换,同时保证每种分频比都具有较宽的锁定范围.在注入功率为0 d Bm的测试条件下,2/3/4/5分频的锁定范围分别是29.1%、29.3%、29.5%和29.9%.该分频器基于0.18μm CMOS工艺实现.总芯片面积和核心芯片面积分别是0.98×1.34mm2和0.32×0.84 mm^2.该分频器供电电压1.5 V,功耗为15 mW.

用于频率综合器的延迟锁相环的设计

设计了一种宽频率锁定范围、倍频数可编程的延迟锁相环。它引入了条件振荡控制电路，使该电路在保持DLL一阶系统和低抖动性能优势的基础上吸收了PLL倍频数可编程的优点；同时，该电路结合了设置延迟初始值和采用新型鉴相器两种宽频技术，具有宽频率工作范围。该延迟锁相环用SMIC0．18μm 1．8V CMOS工艺实现，锁定范围为1．56～100MHz，可供选择的倍频数为1～16，输出频率范围从20MHz到100MHz。在输入最小频率、最大倍频数下，仿真的功耗约为9mW，抖动约为92ps。