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温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用
被引量:
12
1
作者
王忆
何乐年
严晓浪
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期1657-1662,共6页
设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基...
设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40~130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计.
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关键词
30nA
静态电流
寄生二极管
LDO
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职称材料
一种零死区栅驱动电路的设计
2
作者
石跃
朱世鸿
黄建刚
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期491-493,503,共4页
设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证。通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开启,从而消除了体二极管导通产生...
设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证。通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开启,从而消除了体二极管导通产生的电磁干扰。基于0.6μmBCD工艺,对提出的零死区栅驱动电路进行仿真验证,结果表明,当穿通电流小于45mA时,可以保证在300mA以内负载电流下功率管的寄生体二极管不开启。
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关键词
零死区时间
栅驱动
穿通电流
寄生
体
二极管
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职称材料
3300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制
3
作者
刘国友
罗海辉
+1 位作者
李诚瞻
宋瓘
《中国电力》
CSCD
北大核心
2021年第12期81-85,93,共6页
研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成...
研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现,当二极管电流密度J_(SD)=100 A/cm^(2)时,嵌入式二极管电压降V_(SD)(SBD)=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET"双极退化"风险。另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm^(2)和3955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景。
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关键词
碳化硅
SBD
MOSFET
寄生二极管
双极退化
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职称材料
半桥三电平LLC谐振变换器的轻载控制策略
被引量:
4
4
作者
王付胜
江冯林
+1 位作者
汪学胜
刘承先
《电器与能效管理技术》
2019年第16期28-32,共5页
半桥三电平LLC谐振变换器(HBTL-LLC)具有开关管电压应力小、效率高等优点,通常将移相控制策略引入LLC控制以提高输出电压的调节范围,但随着负载变轻,该控制策略下的变换器输出电压增益曲线发生偏移。针对这个问题,在考虑变换器整流二极...
半桥三电平LLC谐振变换器(HBTL-LLC)具有开关管电压应力小、效率高等优点,通常将移相控制策略引入LLC控制以提高输出电压的调节范围,但随着负载变轻,该控制策略下的变换器输出电压增益曲线发生偏移。针对这个问题,在考虑变换器整流二极管寄生电容的情况下,详细分析了轻载增益不能有效调节的原因,并提出了半桥三电平LLC谐振变换器的一种轻载控制策略,能够在轻载工况下实现软开关以及输出电压低纹波。设计了一台7.5kW的样机,验证提出的轻载控制策略的可行性。
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关键词
半桥三电平LLC
谐振变换器
整流
二极管
寄生
电容
轻载控制策略
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职称材料
题名
温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用
被引量:
12
1
作者
王忆
何乐年
严晓浪
机构
浙江大学超大规模集成电路研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期1657-1662,共6页
文摘
设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40~130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计.
关键词
30nA
静态电流
寄生二极管
LDO
Keywords
30nA
quiescent current
parasitic diode
LDO
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种零死区栅驱动电路的设计
2
作者
石跃
朱世鸿
黄建刚
机构
成都信息工程学院
电子科技大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期491-493,503,共4页
基金
成都信息工程学院科研基金资助项目(CRF201208)
文摘
设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证。通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开启,从而消除了体二极管导通产生的电磁干扰。基于0.6μmBCD工艺,对提出的零死区栅驱动电路进行仿真验证,结果表明,当穿通电流小于45mA时,可以保证在300mA以内负载电流下功率管的寄生体二极管不开启。
关键词
零死区时间
栅驱动
穿通电流
寄生
体
二极管
Keywords
Zero dead time
Gate driver
Punch-through current
Parasitic body diode
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
3300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制
3
作者
刘国友
罗海辉
李诚瞻
宋瓘
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《中国电力》
CSCD
北大核心
2021年第12期81-85,93,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400503)。
文摘
研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现,当二极管电流密度J_(SD)=100 A/cm^(2)时,嵌入式二极管电压降V_(SD)(SBD)=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET"双极退化"风险。另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm^(2)和3955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景。
关键词
碳化硅
SBD
MOSFET
寄生二极管
双极退化
Keywords
silicon carbide
SBD
MOSFET
parasitic diode
bipolar degradation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半桥三电平LLC谐振变换器的轻载控制策略
被引量:
4
4
作者
王付胜
江冯林
汪学胜
刘承先
机构
合肥工业大学
出处
《电器与能效管理技术》
2019年第16期28-32,共5页
文摘
半桥三电平LLC谐振变换器(HBTL-LLC)具有开关管电压应力小、效率高等优点,通常将移相控制策略引入LLC控制以提高输出电压的调节范围,但随着负载变轻,该控制策略下的变换器输出电压增益曲线发生偏移。针对这个问题,在考虑变换器整流二极管寄生电容的情况下,详细分析了轻载增益不能有效调节的原因,并提出了半桥三电平LLC谐振变换器的一种轻载控制策略,能够在轻载工况下实现软开关以及输出电压低纹波。设计了一台7.5kW的样机,验证提出的轻载控制策略的可行性。
关键词
半桥三电平LLC
谐振变换器
整流
二极管
寄生
电容
轻载控制策略
Keywords
half-bridge three-level LLC
resonant converter
parasitic capacitance of rectifier diode
light load control strategy
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用
王忆
何乐年
严晓浪
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
12
下载PDF
职称材料
2
一种零死区栅驱动电路的设计
石跃
朱世鸿
黄建刚
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
3
3300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制
刘国友
罗海辉
李诚瞻
宋瓘
《中国电力》
CSCD
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
4
半桥三电平LLC谐振变换器的轻载控制策略
王付胜
江冯林
汪学胜
刘承先
《电器与能效管理技术》
2019
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引证文献
统计分析
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