一种应用于2.2 GHz的射频功率放大器设计

采用Cree公司提供的CGH40010F GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为有源器件,设计了一款工作在2.2 GHz的射频功率放大器。利用ADS软件对功率管的偏置电路进行设计的仿真,利用阶跃式匹配方法扩展了带宽,通过对功率管寄生参数的仿真,有效地提高了功率附加效率(PAE)。仿真结果表明,在2.1 GHz~2.3 GHz的频率范围内,小信号S 21增益为12.03 dB~12.77 dB,大信号输出功率为40.17 dBm,功率附加效率达到61.3%。达到设计指标的要求。