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射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计 被引量：1
1
作者 王一鸣 李泽宏 +3 位作者 王小松 翟向坤 张波 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1441-1446,共6页
对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了... 对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%. 展开更多
关键词 射频功率 LDMOS 槽形结构 寄生反馈电容 截止频率
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