基于寄生模型的粒子群算法在气动优化中的应用

为了解决粒子群算法(PSO)在寻优过程中全局最优和局部最优的矛盾,通过在粒子群算法中加入寄生模型,发展了一种基于寄生模型的改进粒子群算法(SPPSO)。对提出的模拟寄生算法(SP)进行了分析与验证,并将其引入到粒子群算法中,丰富了粒子之间的优势信息源,增强了粒子的信息共享能力,使得SPPSO算法能够有效地跳出局部最优。函数测试表明,该算法显著提高了PSO算法的寻优性能。将SP及SPPSO算法应用于翼型的气动优化设计中,取得了良好的效果,从而表明提出的算法准确有效,具有良好的实用性。

一类带脉冲和时滞的宿主——大寄生物模型正周期解的存在性

文章主要研究了一类带脉冲和时滞的宿主—大寄生物模型,利用Fredholm映射以及叠合度定理,获得了该生物模型正周期解的存在性。

增长区域上一类寄生虫-宿主模型的Turing不稳定

为理解区域演化对寄生虫-宿主Turing不稳定的影响,本文以寄生虫-宿主传染病模型为主体,研究增长区域上的反应扩散问题,通过线性化和谱分析给出模型产生Turing不稳定的条件,再利用数值模拟验证理论结果。结果表明扩散系数的增加有利于Turing斑图的形成,而区域增长对Turing斑图形成起破坏作用。

倒装芯片集成电力电子模块寄生参数的建模

采用球栅阵列芯片尺寸封装技术和倒装芯片(Flip Chip,FC)技术构建了半桥集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM),半桥FC-IPEM实现三维封装结构。采用阻抗测量法提取模块寄生电感和寄生电容,建立模块的寄生参数模型,对模块进行电气性能测试。结果表明:半桥FC-IPEM构成的同步整流Buck变换器输出滤波电感中的电流波动幅度小于0.6A。

基于FPC绕组的高频变压器电磁参数建模

为解决高频下利兹线制作工艺复杂、铜箔绕组纵向电流分布不均、邻近效应严重等问题,本文提出一种新型绕组结构,即柔性电路板。本文对柔性电路板绕组的电磁参数进行解析建模,分别基于等效单层铜箔的方法建立柔性电路板的绕组损耗和漏感解析模型,并基于静态层间电容求解建立柔性电路板的寄生电容集总参数模型。最后,对解析模型进行实验验证,结果表明本文为柔性电路板绕组提供的建模方法是一种精度较高的通用型电磁参数建模方法。

蚜茧蜂对麦蚜控制作用的初步研究

本文应用二次通用旋转组合设计的方法进行了蚜茧蜂对麦蚜寄生能力的研究，得出了蚜茧蜂的寄生量模型：Y=91．40＋43．62X1＋20．27X2＋7．25X1X2－16．83X12＋3.43X。并对模型进行了分析，表明对总寄生量的影响因素中麦蚜密度的大小大于蚜茧蜂本身密度的大小。在试验密度范围内，蚜虫和蚜茧蜂干扰作用不明显，且有相互促进的作用，但增加速度相同。

高精度电压基准源的设计

在分析传统带隙基准电压电路的基础上,本设计利用纵向NPN双极型晶体管的寄生模型提出了一种结构简单新颖、具有良好的温度系数和较高的电源抑制比,可用于数模转换器、模数转换器、线性稳压器和开关稳压器等电路的高精度基准电压源,此外还讨论了基准源的启动问题.本文采用的是CSMC公司的CMOS混合信号工艺,输出电压为2.5V.

开尔文连接对功率模块并联均流影响的对比评估

多芯片并联功率模块是新能源发电等大功率电能变换领域的核心部件。由于功率模块的封装布局不均,造成并联芯片的动静态电流分配不均衡,进而降低功率模块的容量、威胁变流器的可靠运行。改进多芯片并联功率模块的封装,是解决并联电流分配失衡的有效方式,也是实现电力变流器大功率运行的必要条件。该文针对一款常用的商业化IGBT功率模块,对比研究开尔文连接对多芯片并联均流的影响。考虑封装寄生参数,建立功率模块的等效电路模型和有限元分析模型,从路和场的角度,揭示开尔文连接对芯片间暂态电流不平衡的影响。基于定制化的功率模块和双脉冲测试平台,通过仿真和实验结果,对比研究功率模块有/无开尔文连接时,并联芯片间的电流不均衡效应。结果表明:开尔文连接能够实现功率回路和门极回路的解耦,提高器件的开关速度;但是,开尔文源极的引入改变了功率模块布局,对多芯片并联均流提出了挑战。后续还需要研究直接覆铜板的优化布局方法,消除并联芯片间的回路不对称。

一类寄生虫模型解的性态研究

本文研究了一类寄生虫模型解的性态,给出了该模型的解具有持久性和振动性的一些充分条件,回答了Dynamics of Second Order Diference Equation一书中的一个公开的研究建议.

dV_(ss)/dt触发N阱CMOS器件闩锁失效的研究

从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak<Vss0(导通临界值约为-0.8V)时,CMOS器件发生闩锁效应。dVss/dt外界触发作用消失后,为了达到稳定闩锁效应状态,存储在寄生PNPN结构中耗尽电容的电荷量Qc要大于Qc0(临界值),需要足够的脉冲宽度和较小的晶体管渡越时间。Silvaco瞬态仿真验证表明,该研究结果可用于改善CMOS集成电路的可靠性设计。

一种T-SCC脉冲发生器的研制

针对传统Marx发生器存在的时间常数大、输出效率低、输出参数单一等问题,通过优化SSBM(Solid-State Bipolar Marx)电容储能单元的全桥IGBT结构,设计了T-SCC(Two-Switches Capacitors Cells)脉冲发生器,并且根据高频高压下功率IGBT呈现容性负载的特性,提出一种寄生参数动态模型。对寄生参数动态模型的仿真实验结果表明T-SCC脉冲发生器能输出μs级上升沿的双极性脉冲电压,提高了系统输出电压和寄生电容充放电速度,达到了脉冲上升沿压缩的目的。