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3 nm以下节点堆叠环栅器件关键技术的考虑 被引量:2
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作者 徐敏 张卫 +4 位作者 陈鲲 杨静雯 刘桃 吴春蕾 王晨 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期27-31,共5页
进入3 nm以下技术节点后,堆叠纳米片环栅晶体管(stacked-nanosheets GAA transistors)因为拥有更为出色的沟道控制能力和输出更大的驱动电流,将替代鳍型晶体管(FinFET)成为全新一代的CMOS技术架构;但同时在沟道形成、内侧墙、寄生沟道... 进入3 nm以下技术节点后,堆叠纳米片环栅晶体管(stacked-nanosheets GAA transistors)因为拥有更为出色的沟道控制能力和输出更大的驱动电流,将替代鳍型晶体管(FinFET)成为全新一代的CMOS技术架构;但同时在沟道形成、内侧墙、寄生沟道、源漏寄生电阻/电容、以及沟道应力设计等关键技术领域面临挑战。本文就上述关键技术进行了较为全面的阐述,并结合这些技术的开发阐述了设计-工艺协同优化(DTCO)在先进CMOS工艺开发中的重要作用。 展开更多
关键词 堆叠纳米片 环栅 寄生沟道 寄生电阻/电容 沟道应力 设计-工艺协同优化
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先进CMOS制造工艺的技术演进及自主发展思考
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作者 张卫 徐敏 +8 位作者 陈鲲 刘桃 杨静雯 孙新 黄自强 汪大伟 吴春蕾 王晨 徐赛生 《前瞻科技》 2022年第3期52-60,共9页
信息社会的迅猛发展极大推动了对高性能计算的需求。而先进互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺是制造高性能计算芯片的保障,因此成为世界顶尖设计公司和芯片制造企业竞争的技术高地。文章概述了鳍式场效应晶体管(FinFET)之后技术演进... 信息社会的迅猛发展极大推动了对高性能计算的需求。而先进互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺是制造高性能计算芯片的保障,因此成为世界顶尖设计公司和芯片制造企业竞争的技术高地。文章概述了鳍式场效应晶体管(FinFET)之后技术演进到环栅场效应晶体管(GAAFET)的必然性,以及在工艺模块、系统集成和工艺无损表征上带来的挑战。在先进CMOS制造工艺技术的创新上,需要有从器件开发到系统设计的思维转变;设计工艺协同优化(DTCO)将会发挥越来越重要的作用。面向未来国产先进的CMOS制造工艺的发展,在技术开发和人才培养方面提出了发展建议和举措。 展开更多
关键词 纳米片 环栅 寄生沟道 寄生电阻/电容 沟道应力 设计工艺协同优化 无损表征
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