一种基于密勒倍增的高性能LDO的设计

基于零极点跟踪技术,提出一种新的LDO频率补偿架构。利用密勒电容倍增原理和零极点跟踪技术,在很小的补偿电容面积下使LDO获得全负载范围内的环路稳定。摆率增强电路的应用使系统具有优越的负载瞬态调整性能。基于0.5μm标准CMOS工艺,对LDO进行仿真验证。结果表明,系统空载下,静态电流为32μA,且能提供最大200 mA的负载电流;在输出电容为2.2μF、负载电流以200 mA/10 ns突变时,最大下冲电压仅为10 mV,没有明显的上冲。