Pschl-Teller势阱中线性与非线性光学吸收系数的计算(英文)

非对称性量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起了人们的广泛关注 ,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义 考虑带间的电子弛豫 ,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式 通过调节P schl Teller势阱中两个可调参数κ和λ ,势阱的形状及其非对称性会随着κ和λ的取值不同而明显不同 ,从而其线性与非线性光学吸收系数的大小也会随势阱参数κ、λ和入射光强的变化而呈规律性的变化 。

Morse势阱中子带间的光吸收(英文)

研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出积极的作用 ,而三阶非线性吸收为负 ,抵消了一部分线性吸收 ,进而得到总的吸收系数 ;吸收系数随着入射光强度的增大而减小 ,即出现吸收饱和现象 ;当势阱参数a增大时 ,吸收系数增大 ,即阱宽较窄时 ,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数 ,就要输入较小的光场强度 ,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。

量子盘中的三阶非线性光学极化率

利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率 ,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式 ,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明 ,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且 ,选取适当的参量 ,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。

非对称量子阱中折射率变化研究

主要研究了一种特殊非对称量子阱中的克尔非线性折射率的改变。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了量子阱中的克尔非线性折射率的改变的表达式,然后以典型的非对称量子阱材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对克尔非线性折射率以及总的折射率的影响,从而为实验研究提供理论依据。

Morse势阱中光整流和电光效应的研究(英文)

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法 ,得到Morse势阱中的光整流系数和电光效应的解析表达式 .并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行了数值计算 .研究结果表明 ,较大的光整流系数和电光效应与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 ,光整流系数和电光效应越大 .

Pschl-Teller势阱中的光整流效应

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po ¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po ¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也发生相应的变化 .因此我们可以通过调节 k和 λ的取值而获得 Po ¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的变化规律 ,并找到其最大值 。

非对称量子阱中非线性三次谐波特性研究

主要研究了一个特殊非对称量子阱中的三次谐波。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了量子阱中的三次谐波表达式,然后以典型的非对称量子阱材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对三次谐波的改变有较大影响,从而为实验研究提供理论依据。