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用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器
1
作者
Thrush E J Considine L Mullins J T Saywell V Bentham F C Sharma N Humphreys C J Kappers M
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期103-106,共4页
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高...
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切.本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性.结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求,给出了这种设备运行的一些结果.这些结果表明,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长.
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关键词
MOCVD
密配合喷淋头反应器
Ⅲ族氮化物生长
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职称材料
用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器(英文)
2
作者
ThrushE J
Kappers M
+5 位作者
Considine L
Mullins J T
Saywell V
BenthamF C
Sharma N
Humphreys C J
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期103-106,共4页
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中 ,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料。近年来 ,氮化物基的LED的制备成功 ,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力。人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣...
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中 ,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料。近年来 ,氮化物基的LED的制备成功 ,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力。人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨 ,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切。本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性。结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求 ,给出了这种设备运行的一些结果。这些结果表明 ,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长。
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关键词
MOCVD
密配合喷淋头反应器
Ⅲ族氮化物生长
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职称材料
题名
用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器
1
作者
Thrush E J Considine L Mullins J T Saywell V Bentham F C Sharma N Humphreys C J Kappers M
机构
Thomas Swan Scientific Equipnent Limited
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第z1期103-106,共4页
文摘
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切.本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性.结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求,给出了这种设备运行的一些结果.这些结果表明,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长.
关键词
MOCVD
密配合喷淋头反应器
Ⅲ族氮化物生长
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器(英文)
2
作者
ThrushE J
Kappers M
Considine L
Mullins J T
Saywell V
BenthamF C
Sharma N
Humphreys C J
机构
Thomas Swan Scientific Equipment Limited
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第S1期103-106,共4页
文摘
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中 ,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料。近年来 ,氮化物基的LED的制备成功 ,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力。人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨 ,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切。本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性。结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求 ,给出了这种设备运行的一些结果。这些结果表明 ,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长。
关键词
MOCVD
密配合喷淋头反应器
Ⅲ族氮化物生长
Keywords
MOCVD
close coupled showerhead reactor
growth of group Ⅲ nitrides
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
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作者
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1
用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器
Thrush E J Considine L Mullins J T Saywell V Bentham F C Sharma N Humphreys C J Kappers M
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
2
用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器(英文)
ThrushE J
Kappers M
Considine L
Mullins J T
Saywell V
BenthamF C
Sharma N
Humphreys C J
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
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职称材料
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