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低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响
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作者 郑建邦 刘效增 +3 位作者 李成全 曹猛 李宁 吴洪才 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期199-202,共4页
采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱... 采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在。 展开更多
关键词 离子注入 CuxS薄膜 富铜型薄膜 组分 光电半导体
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