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低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响
1
作者
郑建邦
刘效增
+3 位作者
李成全
曹猛
李宁
吴洪才
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期199-202,共4页
采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱...
采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在。
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关键词
离子注入
CuxS
薄膜
富铜型薄膜
组分
光电半导体
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职称材料
题名
低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响
1
作者
郑建邦
刘效增
李成全
曹猛
李宁
吴洪才
机构
西安交通大学电信学院
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期199-202,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 !(19775 0 39)
文摘
采用N^+离子注入的方法 ,对气—固化学反应生成的CuxS薄膜进行了掺杂 ,研究了N+离子注入能量和剂量对Cu_xS薄膜组分的影响。结果表明 ,离子注入改变了CuxS薄膜铜与硫的比例 ,使薄膜组分更接近于富铜型 ,样品的X射线衍射图谱和透射光谱研究进一步证实了这种结构转变的存在。
关键词
离子注入
CuxS
薄膜
富铜型薄膜
组分
光电半导体
Keywords
ion beam implantation
Cu_xS thin film
rich copper phase film
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低能离子注入对Cu_xS薄膜组分的影响
郑建邦
刘效增
李成全
曹猛
李宁
吴洪才
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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职称材料
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