0.35 mm pitch BAG设计70 μm盲孔和140 μm焊盘(焊环35 μm)对位能力提升

随着PCB的高密度化发展,球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)间距不断缩小,为了满足客户与市场发展需求,对0.35 mm pitch BGA走2条线,含70μm盲孔&140μm焊盘设计下焊环35μm对位能力进行研究;通过对位标靶、激光孔径、材料选择及图形蚀刻能力的测试与TV板评估,确定了一款EM-526材料采用单元边标靶、激光孔径开铜65μm条件下,可以满足设计35μm,实际25μm焊环对位需求。

刚挠结合板非导通孔到图形对位能力研究

因软硬结合板有三维组装特性,部分产品根据其特殊的应用场景,要求控制顶层和底层零件的对准度,针对此类要求,客户零件贴装需以非导通孔为基准对位贴合,避免零件偏移,需控制软硬结合板基准点即非导通孔到顶层和底层图形的对位公差为±0.10 mm,软硬结合板受软性材料涨缩变形的影响,按常规的制作工艺,图形到非导通孔的对位能力C_(pK)<1.0,该能力无法实现批量生产;本文主要研究提升高密度互连类软硬结合板中非导通孔到图形的对位公差能力,通过分析孔到图形对位的影响因素,简化图形对位的层次,重新排列非导通孔的加工过程,实现顶层和底层的图形到非导通孔的间距同时满足±0.10 mm的公差要求,提升图形到非导通孔的间距能力C_(pK)>1.67,满足批量生产的要求,同时,为行业内提升软硬结合板非导通孔到图形的对位能力提供参考。

多类型孔同步树脂塞孔对位能力提升研究

高端电子产品越来越多地运用树脂塞孔设计,在印制板大批量制作过程中,应着力解决大小孔、背钻孔同步塞孔难题。本文提出一种树脂塞孔新工艺,即采用设有上小下大阶梯孔的塞孔网板,极大提升树脂塞孔对位能力,经过对比分析和验证分析,能够实现大小孔、背钻孔等多类型孔同步树脂塞孔,并能确保树脂塞孔饱满度。

字符丝印对位能力评估

目前公司在阻焊照相底版制作标准里面对字符丝印能力进行了界定,包括字符线条及字符到焊盘的间距。但是随着字符线条的细化和间距的密集,基本上大多数板的字符到PAD的间距都已经达到或接近最小丝印能力,极易造成字符偏位上焊盘。本文从丝印员工本身的对位能力、照相底版的变形、生产板的变形以及照相底版图形转移到网版上的变形量来综合评估字符的丝印对位能力,从而确定新的标准。

PCB精细阻焊工艺能力分析

由于目前电子产品便携化地发展,单板组装密度越来越高,相关芯片元器件也趋向小型化、精密化。引线间距0.4 mm的QFN和BGA芯片应用越来越多,引线间距变小,也就使得PCB的焊盘阻焊桥制作空间减小,阻焊桥无法制作、阻焊桥掉落和绿油上焊盘的问题突出,制约了精密芯片的应用。PCB阻焊桥的制作工艺能力是一个综合能力的体现,材料技术、人员技能、设备能力和过程控制能力都会影响阻焊桥的质量,需要全方位的能力提升才能使PCB的制造技术跟得上芯片封装技术的步伐。本次试验选取一家技术水平中等偏上的PCB板厂测试当前的阻焊对位精度能力和阻焊桥制作能力,以了解当前的PCB精细阻焊工艺能力。

D-Dimensional Dirac Equation for Energy-Dependent Pseudoharmonic and Mie-type Potentials via SUSYQM

We investigate the approximate solution of the Dirac equation for energy-dependent pseudoharmonic and Mie-type potentials under the pseudospin and spin symmetries using the supersymmetry quantum mechanics. We obtain the bound-state energy equation in an analytical manner and comment on the system behavior via various figures and tables.