HF，Ne等离子体系内对间电子相关能的比较研究

采用MELD程序ROHF－OPT1方法在MP2／6－311＋＋G（d）水平上，计算 了HF分子基态^1∑^+和Ne原子基态^1S的对内时间电子相关能，并对两等电子体系的对相关能进行了分析和比较，深入研究了两等电子体系对内间相关能所具有的共同规律和存在的差异性，通过比较说明分子内的化学键是影响电子相关能的重要因素之一。HF分子和Ne原子两体系三重 激发和四重激发对体系电子能相关能的贡献的计算结果表明高激发项对电子相关能的贡献在精确量子化学计算中是不可以忽略的。

对内、对间电子相关研究——G1、G2理论分析

具体深入地分析了G1、G2理论中E(HLC)校正的不合理性,同时指出了Post-HF计算校正的改进途径.

多原子强离子键KX(X=OH,NC)及(KX)_2体系电子相关能的简单计算

通过MELD程序MP2-OPT2方法在6-311++G（d）及6-311++G（3df,3pd）基组下对KX（X=OH,NC）体系对内对间电子相关能的计算结果和分析,并根据KX（X=OH,NC）分子中K和X组分的内层电子对相关能和内层电子相关效应的传递性,定义并且计算了Kδ+和Xδ-对KX分子体系的电子相关能贡献.基于K+,X-和KX（X=OH,NC）的对相关能的比较结果,提出了利用其组成金属离子和负离子基团的电子相关能之和来计算多原子强离子键分子体系电子相关能的简单计算方法,此方法对Gaussian98程序MP2（full）/6-311++G（d）水平下M聚体系（KOH）2和（KNC）2的电子相关能的近似计算结果误差很小,应用此“化整为零”的方案计算大分子离子键体系电子相关能既可以基本达到化学计算要求的精度又能节约大量的计算工作量.

Cl,Cl^-和MCl(M=H,Li,Na,K)对内对间相关能的规律性

通过对内对间相关能的计算，发现Ｃｌ，Ｃｌ－及其化合物中的Ｋ电子层的对内相关能基本上是一常数，而且Ｃｌ的Ｋ，Ｌ层电子层内相关能和它们之间的层间相关能也变化很小．另外，所研究的ＭＣｌ系列化合物中Ｃｌ价电子对相关能的贡献是跟ＭＣｌ的离子性有关，即随着化合物离子性的增加而增加，但其相关能最大不大于Ｃｌ离子的，最小不小于Ｃｌ原子的．这些规律对人们考虑一些化合物的相关能，以至化学反应能量很有参考意义．