对称矩形环栅NMOS器件的建模与验证

介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究。通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算模型。在0.18μm BCD工艺下进行流片,并对不同尺寸下直栅MOS器件和环栅MOS器件进行辐照对比测试。测试结果表明,对称矩形环栅NMOS器件的等效宽长比计算模型的计算误差可低至5%。辐照总剂量10 kGy条件下,对称矩形环栅NMOS器件的关态泄漏电流仍可维持在一个很低的量级,表现出良好的总剂量效应加固性能。