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基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较 被引量：3
1
作者 许海霞 李钱光 +1 位作者 闵永泉 李志扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1483-1489,共7页
采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响 ,发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长 .
关键词 蒙特卡罗模拟 单电子存储器 存储时间 多隧道结型 对称陷阱型
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