HF，Ne等离子体系内对间电子相关能的比较研究

采用MELD程序ROHF－OPT1方法在MP2／6－311＋＋G（d）水平上，计算 了HF分子基态^1∑^+和Ne原子基态^1S的对内时间电子相关能，并对两等电子体系的对相关能进行了分析和比较，深入研究了两等电子体系对内间相关能所具有的共同规律和存在的差异性，通过比较说明分子内的化学键是影响电子相关能的重要因素之一。HF分子和Ne原子两体系三重 激发和四重激发对体系电子能相关能的贡献的计算结果表明高激发项对电子相关能的贡献在精确量子化学计算中是不可以忽略的。

对内、对间电子相关研究——G1、G2理论分析

具体深入地分析了G1、G2理论中E(HLC)校正的不合理性,同时指出了Post-HF计算校正的改进途径.

Cl,Cl^-和MCl(M=H,Li,Na,K)对内对间相关能的规律性

通过对内对间相关能的计算，发现Ｃｌ，Ｃｌ－及其化合物中的Ｋ电子层的对内相关能基本上是一常数，而且Ｃｌ的Ｋ，Ｌ层电子层内相关能和它们之间的层间相关能也变化很小．另外，所研究的ＭＣｌ系列化合物中Ｃｌ价电子对相关能的贡献是跟ＭＣｌ的离子性有关，即随着化合物离子性的增加而增加，但其相关能最大不大于Ｃｌ离子的，最小不小于Ｃｌ原子的．这些规律对人们考虑一些化合物的相关能，以至化学反应能量很有参考意义．