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彩色等离子体显示器寻址功耗等效电路模型 被引量:2
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作者 张小宁 梁志虎 +2 位作者 屠震涛 刘纯亮 张军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期26-31,共6页
彩色等离子体显示器中引起的容性电流构成了寻址IC中MOS管开关电流的主体,以此为基础建立了寻址功耗等效电路模型,得到寻址功耗计算公式。典型图案寻址功耗的实验结果表明,寻址功耗和各子场图像数据在列方向上的变化率,以及相邻列之间... 彩色等离子体显示器中引起的容性电流构成了寻址IC中MOS管开关电流的主体,以此为基础建立了寻址功耗等效电路模型,得到寻址功耗计算公式。典型图案寻址功耗的实验结果表明,寻址功耗和各子场图像数据在列方向上的变化率,以及相邻列之间寻址数据差在列方向上的变化率成正比,和图像信号的平均强度没有关系。寻址功耗的理论计算值和实验结果一致,寻址等效电路模型能够对不同图案的寻址功耗进行合理的解释,解决了寻址功耗检测对象不确定和检测的准确性问题。 展开更多
关键词 等离子体显示器 等效电路模型 寻址功耗
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等离子体显示器自适应低功耗寻址方法 被引量:2
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作者 梁志虎 黄金福 +2 位作者 张小宁 刘纯亮 丁兴隆 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期11-15,共5页
摘要为降低等离子体显示器(PDP)的寻址功耗,在分析了AERCs,no-AERCs,以及IPS等寻址方法的原理和特点的基础上,提出了一种自适应低功耗寻址方法及其实现电路——自适应寻址能量恢复电路(AAERCs),同时也给出了寻址数据变化率的检测方法。A... 摘要为降低等离子体显示器(PDP)的寻址功耗,在分析了AERCs,no-AERCs,以及IPS等寻址方法的原理和特点的基础上,提出了一种自适应低功耗寻址方法及其实现电路——自适应寻址能量恢复电路(AAERCs),同时也给出了寻址数据变化率的检测方法。AAERCs首先检测PDP各子场寻址数据的变化率,然后根据不同寻址方法中寻址功耗和寻址数据变化率的关系,计算出相应的寻址功耗,根据计算结果,自适应改变PDP的扫描时序和对应的寻址数据,使AAERCs始终工作在寻址功耗最低的模式下。50英寸WXGA双扫PDP的实验结果表明:对于任何图像,AAERCs的寻址功耗均低于现有的任何一种寻址方法,典型图案下,寻址功耗最大可节省81W。 展开更多
关键词 等离子体显示器 寻址功耗 寻址数据变化率 自适应寻址能量恢复电路
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PDP子场数据自适应优化低功耗寻址方法
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作者 屠震涛 韩方 +1 位作者 张小宁 刘纯亮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期501-505,共5页
为降低等离子体显示器(PDP)的寻址功耗,在分析PDP寻址功耗和图像信息在各子场分布特征的基础上,根据人眼视觉在不同背景亮度下对图像信息感知能力不同的特点,提出了子场数据自适应优化低功耗寻址方法。该方法在图像质量变化不影响视觉... 为降低等离子体显示器(PDP)的寻址功耗,在分析PDP寻址功耗和图像信息在各子场分布特征的基础上,根据人眼视觉在不同背景亮度下对图像信息感知能力不同的特点,提出了子场数据自适应优化低功耗寻址方法。该方法在图像质量变化不影响视觉感知的情况下,根据图像寻址功耗的预设目标和实际值,自适应选择寻址功耗的优化级别,通过减少低权重子场数据变化率来降低PDP寻址功耗。该方法仅需对寻址数据的算法进行优化,无需改动硬件和驱动波形,在50英寸WXGA单扫PDP模组上对IEC标准动态视频的寻址功耗进行测试,结果表明,该方法可使IEC标准动态视频的寻址功耗平均降低8.17%,最大降低25.8W。 展开更多
关键词 等离子体显示器 寻址功耗 子场数据优化 寻址数据变化率
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PDP列驱动芯片能量恢复效率模型
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作者 华国环 刘清惓 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期989-996,共8页
为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(... 为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的DPLD管;测试结果显示CRC和VCCS模型都具备较高的精度,模型误差分别是2.26%和4.04%。CRC模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个,分别是:充电时间、沟道电阻、负载电容。2种模型分析的对比结果表明,沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大,使用较小沟道电阻的DPLD管可以显著提高PDP列驱动芯片的能量恢复效率。CRC和VCCS模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率。 展开更多
关键词 分析模型 PDP列驱动芯片 DPLD管 寻址功耗 能量恢复效率
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