电损伤皮肤中金属导体元素含量的研究

实验用６０只大自鼠（ＳＤ）以２２０Ｖ交流电，通过直径０．４ｃｍ的铜、铁、铝金属导体分别电击大鼠爪掌部皮肤，时间分别为１ｍｉｎ、２０ｓ、５ｓ，形成电损伤。电报伤皮肤与正常对照皮肤经硝酸消化后，用原子吸收光谱检测铜、铁、铝的含量。结果显示，电损伤组３种元素含量高出对照组的３．５－３２倍，经配对ｔ检验，Ｐ值均＜０．００１，有显著性意义。本实验组织处理不同于以往高温灰化，实验操作简便，检材用量可少至１０ｍｇ，可为法医学实际检案鉴别是否电损伤皮肤提供客观数据和指标。

光电化学冶金提取半导体元素——以碲为例

针对电化学冶金提取半导体元素存在的问题,提出采用光电化学冶金的方法来进行半导体元素的电化学沉积提取。结合半导体特性以及光电化学基本理论,阐述光电化学冶金的优势,并以碲提取为例验证光电化学冶金的优越性。结果表明:光电化学沉积过程中,半导体沉积物吸收能量大于其自身带隙宽度的光子后受激发产生光生电子-空穴对,光生电子从半导体流向电解液促进电化学还原,同时光生载流子可减小电阻率和能带弯曲,降低工作电极所分摊的电势差。与常规的电化学沉积相比,光电化学沉积可以强化电极过程、降低槽电压,以及提高沉积速率、电流效率和产能,具有良好的应用前景。最后指出光电化学冶金未来发展可能面临的问题,并对其内涵进行拓展。

半导体元素电路里的骨干 硅、镓、锗、砷、硒、碲

半导体，不光是说它们徘徊在导体与绝缘体的矛盾中，还因为它们可以控制电磁波的物理特性。多数形成半导体的元素，都位列元素周期表楼梯型的金属-非金属分界线附近：硅．镓、锗、砷、硒、碲，在各种电子设备和家用电器中，它们是最重要的原材料。

半导体材料的分类及应用

能源、材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱。材料方面，电子材料的进展尤其引人注目。以大规模和超大规模集成电路为核心的电脑的问世极大地推动了现代科学技术各个方面的发展，一个又一个划时代意义的半导体生产新工艺、新材料和新仪器不断涌现，并迅...

新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展

第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表,奠定了信息产业基础。

二元化合物半导体的能带结构

本文用LCBO MO法计算了属于元素半导体和AB型、AB2型化合物半导体的十种共价结构的能带。所得结果说明:它们的禁带宽度Eg都可统一地表为键能和邻键间共轭积分的线性函数,与共价结构的形式无关。给出许多文献用键性质归纳Eg数值规律的理论基础。

半导体材料发展的历史沿革与目前概况

据媒体介绍，在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种器件，在人们生活中几乎无所不及，不断改变着人们的生活方式、思维方式，提高了人们的生活质量，促进了人类社会的文明进步。它们广泛用于信息的传输、存储、控制、探测，以及激光与光学显示等。1990年前，作为第一代半导体材料，以硅（包括锗）材料为主的元素半导体占统治地位。

第三代半导体驶入发展快车道

随着现代材料科技的创新发展,半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料,发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,推动了现代互联网、通信、新能源等新兴产业的快速发展。我国提出了“双碳”目标后,对半导体材料的应用与发展提出了更高的要求,业内人士纷纷认为,具备可提升能源转换效率特点的第三代半导体产业逐渐进入发展快车道。

原子团簇Ge_(11)同分异体的密度泛函研究

用分子图形软件设计出多种Ge_11原子团簇模型,使用B3LYP密度泛函方法进行几何构型优化和振动频率计算,比较了14种同分异构体的总能量,得到了新的基态构型。锗原子团簇的大部分原子以三、四、五和六配位成键。在Ge11原子团簇中,双角反四棱柱衍生出来的构型能量较低,它是设计大分子锗原子团簇初始模型的重要结构单元。由三棱柱演变的构型能量居中。带心结构和共边构型带有高配位原子,其总能量较高,是不稳定的结构。

从煤灰中强化浸出铀、锗的研究

介绍了采用硫酸-A化合物强化浸出法处理某含铀、锗灰的小型试验结果。重点讨论了浸出过程中诸因素对锗浸出率的影响,提出了2段逆流浸出的最佳工艺条件。试验结果表明,该法不仅在技术上能高效地浸出煤灰中2种有价值的元素,而且在经济上也是合理的,是处理难浸煤灰的有效方法。

硅镓锗砷的反常散射因子

本文在略述反常散射后,给出几种最常见半导体元素硅,镓、锗、砷在 K 吸收限附近的反常散射因子的模拟表达式,并作了简单讨论。

10～30keV二次电子发射系数的表达式

根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次（n）和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较，结果表明，成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～30kev的艿通式。

在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．

Fe刻蚀金刚石的工艺因素

对Ｆｅ刻蚀金刚石过程中石墨析出的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的过程是：金刚石晶格中的碳原子溶入γＦｅ，在γＦｅ中扩散并在远离金刚石的一侧以石墨态析出。由该机制导出了石墨析出速率的理论公式。石墨析出速率（ＪＧ）与温度、保温时间、Ｆｅ膜厚度及碳在γＦｅ中的扩散系数有关。合理设置上述参数及通过添加元素改变扩散系数的方法。

Fe刻蚀金刚石的速率

本文对Ｆｅ刻蚀金刚石的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的机制是金刚石晶格中的碳原子自（金刚石Ｆｅ）界面不断溶入γＦｅ，并在γＦｅ中扩散。根据这一机制，导出了Ｆｅ刻蚀金刚石速率（ｖ）的理论公式。应用理论公式的计算值与实测值相比较，两者基本相符。

单相(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x多晶样品的合成

系统地改变名义成分为 Bi_(1.77)Pb_(0.43)Sr_(1.82)Ca_2Cu(3.14)O_x 的烧结温度(T_f)和烧结时间(t_f),得到接近110K 单相的最佳合成条件。淬火样品呈半导体性质,多数 Tc(0)小于100K,而退火样品显示金属性,它们的 Tc(0)都高于100K。二者的 Tc(0)相差很大,也许是由于退火而使20K 相减少所致。

铋系超导相形成反应动力学（Ⅱ）─—高温相形成反应

探讨了２２２３相形成的反应机理，得到了不同条件下的反应动力学方程，指出了制备优质高温相超导材料的方向。

铋系超导相形成反应动力学（Ⅰ）──低温相形成反应

在样品的Ｘ射线分析和化学动力学基础上，研究了２２０１及２２１２超导相形成的动力学曲线与方程，论证了前者是后者形成的主体，指出了总反应表观活化能是控制超导相形成的主要因素。

发射光谱检验电伤斑检材提高灵敏度的几种方法

本文介绍了应用发射光谱检验电杀案件中电伤斑检材的几种方法。这些方法对电极形状稍加改变或加入化学反应剂来提高电伤斑中铜、银、铝、铁等电流导体元素的检测灵敏度 ,较好地解决了电杀案件物证的检验难题。