杭州中芯晶圆大尺寸半导体圆片项目填补国内空白

近日，浙江杭州大江东产业集聚区迎来15个重大项目集中开工，项目涵盖集成电路、航空航天、汽车零部件、文化创意等领域，总投资达210亿元。其中，总投资60亿元的Ferrotec杭州中芯晶圆半导体股份有限公司（杭州中芯晶圆）大尺寸半导体圆片项目，将填补国内“大圆片”生产领域的空白。这也是我国首条国产12英寸圆片半导体生产线以及国内规模最大的半导体生产线。

平板电极上单层密集排列的导体颗粒因传导带电所带电量的计算

用电动力学的理论分析了在平面电极板上单层密集排列的大小相同的导体小球被传导带电时电场的分布情况,推导出其中的一个导体小球因传导带电所带电量的上限和下限的计算公式,所得带电量的上下限的算术平均值与实际值的相对误差不到6%。讨论了单层密集排列的尺寸一样的圆片形导体颗粒、椭圆片形导体颗粒因传导带电而带的电荷量的计算问题。计算结果表明,导体圆球单层密集排列时其中的一个圆球的带电量,是在平面电极板上只有一个导体圆球被传导带电时所带电量的约1/6,表明单层给料时导体颗粒分布的疏密程度对其因传导带电而带上的电荷量有明显的影响。这可能是一个在静电选矿时提高导体颗粒带电量方面的研究方向。

300mm片子动向

３００ｍｍ片子动向本刊观察员多年来，为了更经济地加工半导体圆片，产业界总是不断地增大半导体圆片的直径，因而３００ｍｍ圆片便成为集成电路芯片制造商继续追求的下一个目标。图１给出了在各代ＤＲＡＭ器件技术推动下，圆片直径、芯片面积和图形线宽之间对应的发展趋...

新型国产8英寸半导体快速热处理设备

在半导体圆片生产工艺中，快速热处理(也称“热退火”)是半导体圆片经过注入工艺后必不可少的工序之一。半导体圆片快速热处理设备是半导体器件生产的关键设备之一。自从20世纪60年代初，离子注入技术作为新的半导体掺杂工艺以来，大大促进了半导体集成电路的发展。

Precise Control of Temperature Rising Speed of Wafer during Rapid Thermal Processing

In rapid thermal processing of a semiconductor wafer, it is important to keep a given temperature rising speed of the wafer during the temperature rising process. We made an experimental apparatus to measure the temperature rising speed of a ceramic ball of 2 mm in diameter heated with four halogen lamp heaters. The heating rate of the halogen lamp heaters was controlled by computer to keep a given temperature rising speed of 50 ℃/s with a controlling time interval of 0.1 s. We examined the effect of various heating control methods on the error of the temperature rising speed of the ceramic ball. We found that a combined method of control with prepared correlation and PID （proportional integral derivative） control is a good method to decrease the error of the temperature rising speed. The average error of the temperature rising speed is 0.5 ℃/s, and the repetition error is almost zero for the temperature rising speed of 50 ℃/s from 330 ℃ to 370 ℃. We also measured the effects of artificial control delay time and measuring error of the monitoring temperature on the error of the temperature rising speed.