半导体氧化物超细粉末对Cr（Ⅵ）的光催化还原作用研究

对不同反应条件下ＺｎＯ／ＴｉＯ２超细粉末对水溶液中六价格的还原作用影响进行了研究与对比．结果表明，半导体氧化物ＺｎＯ／ＴｉＯ２对水溶液中六价铬有明显的光催化还原作用，ＺｎＯ比ＴｉＯ２的效果更显著，经９０ｍｉｎ处理后，Ｃｒ（ＶＩ）含量从初始的１００ｍｇ／Ｌ降为０．４７ｍｇ／Ｌ以下；可降解有机物的存在能促进反应的进行，提高六价铬的转化率；随着ｐＨ值的升高，光催化效果减弱．本文还对反应机制和反应速度与反应物浓度的关系，以及废水处理过程中移植（替代）现有Ｃｒ（ＶＩ）处理工艺（还原法）的可能性进行了探讨．

半导体氧化物气体传感器测试新原理与方法

本文基于半导体氧化物的气体敏感机理，提出对其测试的新原理和方法，通过试验发现，这种动态测试方法不仅能提高半导体氧化物的选择性和稳定性，而且能从混合气体中分辨出特定的气体成分，判断出大致的逍度．用这种方法，同一种气体传感器通过不同的测试手段可以检测不同的气体．

混合导体氧化物SrFeCo_(0.5)O_y粉末的微波合成与表征

采用微波加热方法与常规高温固相法合成Ｓｒ－Ｆｅ－Ｃｏ－Ｏ系混合导体陶瓷氧化物粉末．利用ＸＲＤ，ＴＥＭ／ＥＤＸ及ＳＥＭ等测试方法分析与表征粉体用微波加热合成的粉体颗粒尺寸分布均匀，一次颗粒尺寸较小，结晶度也好于用常规加热合成的粉体．微波加热合成粉体的结晶相结构是钙钛矿结构 Ｓｒ（Ｆｅ， Ｃｏ）１．５Ｏ＿ｙ相，并有少量的正交结构相和尖晶石（Ｃｏ， Ｆｅ）３Ｏ４相；高温固相法合成粉末由Ｓｒ４（Ｆｅ， ＣＯ）６Ｏ１３ 相及少量的 Ｓｒ（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）Ｏ３ 相和 ＣｏＯ相组成．

半导体氧化物光催化裂解水制氢

本文综述了半导体氧化物光催化裂解水制氢的反应机理,以及近年来半导体光催化裂解水制氢的研究进展。讨论了各种因素对材料光催化性能的影响以及改性方法,并对今后的研究方向提出了一些建议。

基于半导体氧化物的环保型直接制版印刷版材的研究

免处理激光直接制版材料是数字化制版材料发展的重要趋势。本文利用低温水热法制备具有微纳米复合结构的氧化物半导体薄膜,研究其光致浸润性的改变,并将微纳米复合结构氧化物半导体具有光致浸润性变化这一特性,作为一种新型的具有环保特性的激光直接制版材料,巧妙地应用于印刷制版材料领域中,并探索其循环使用的可能性,为一种新型的可擦除免处理印刷材料的应用做出了有益的探索。

钴掺杂Sr_4Fe_6O_(13)混合导体氧化物结构及透氧测定

用湿化学法合成了Ｓｒ４ＣｏｘＦｅ６－ｘＯ１３±δ系列混合导体氧化物，对其相结构与透氧性能进行了研究．钴离子的引入导致材料中钙钛矿型杂相的出现，Ｘ＝２．０时材料中还产生了ＣｏＯ杂相，ｘ＝２．６时材料呈现钙钛矿型结构．Ｓｒ４Ｆｅ４Ｃｏ２Ｏ１３±δ的相结构还与焙烧温度及环境气氛中的氧浓度密切相关．随着氧浓度的降低，材料从纯相Ｓｒ４Ｆｅ６Ｏ１３结构（纯氧气气氛下）转变为Ｓｒ４Ｆｅ６Ｏ１３结构、钙钛矿型结构和ＣｏＯ共存（空气气氛下），直至转变为针镍矿结构、 Ｓｒ４Ｆｅ６Ｏ１３结构和 ＣｏＯ共存． Ｓｒ４Ｆｅ６Ｃｏ１３±δ导体膜在ａｉｒ／Ｈｅ氧浓差梯度下的透氧量为 １．５×１０８ｍｏｌ／ｃｍ２·ｓ（８５０℃），在６５０～８５０℃范围内透氧活化能为７０ｋＪ／ｍｏｌ．

混合导体氧化物SrFeCo_(0.5)O_y的微波介电损耗

用XRD分析了微波合成方法制备的混合导体氧化物SrFeCo0.5Oy相结构的变化,用矩形谐振腔微扰法测量了在SrFeCo0.5Oy的合成过程中材料的微波介电损耗变化,研究了温度及保温时间对材料微波介电损耗的影响.结果表明,SrFeCo0.5Oy的相结构与含量的变化影响材料的微波介电损耗.讨论了用微波合成法能制备出纯SrFeCo0.5Oy相材料的原因.

含铜半导体氧化物的光催化应用进展

应用半导体材料光催化降解污染物和光催化分解水制氢是近几十年来的材料研究热点之一。从拓展光催化材料种类的角度出发,本文对含铜半导体氧化物的基本性质、制备方法及其在光催化方面的应用情况进行了综述。所涉及的氧化物包括含一价铜的氧化亚铜和铜铁矿类复合氧化物,以及含二价铜的氧化铜和尖晶石类复合氧化物。指出将含铜p型半导体氧化物与n型半导体材料复合,制备p-n异质型复合氧化物是有前途的研发方向。

半导体氧化物气敏材料的电导振荡特性研究

本文对半导体氧化物气体敏感材料的电导振荡特性加以研究分析，通过试验与理论分析得出气敏电导振荡的必要条件，并对电导振荡型气体敏感元件的原理、工艺技术和结构等进行分析说明．同时，对半导体氧化物气体敏感材料的常温气体敏感特性进行归纳总结，指出其优缺点和需要解决的问题．

n型半导体氧化物上的Cu基催化剂对醋酸异丙酯加氢性能的影响

选取了六种n型半导体氧化物,采用共沉淀法制备了相应的CuO-ZnO、CuO-Fe2O3、CuO-CeO_2、CuO-TiO_2、CuO-BaO、CuO-SnO_2六种Cu基催化剂,并用于催化醋酸异丙酯加氢反应以进行催化性能评价。借助X射线衍射(XRD),H2程序升温还原(H2-TPR),N2O氧化滴定、ICP元素分析、NH3程序升温脱附(NH3-TPD)、X射线光电子能谱分析(XPS)等表征手段,比较这6种氧化物对Cu的表面和体相的分散度、Cu活性位比表面积、表面酸性以及与Cu之间的结合能大小,及最终对反应结果的影响。结果发现:6种Cu基催化剂的性能差别较大,催化活性高低依次为:Cu-ZnO、Cu-Fe2O3、Cu-CeO_2、Cu-TiO_2、Cu-BaO、Cu-SnO_2。其中Cu-ZnO催化剂因具有最低的还原温度、最高的Cu表面分散度、最大的活性位比表面积、最小的晶粒尺寸以及最大的结合能而表现出最佳的催化活性,具有最低的酸性而呈现最高的乙醇选择性和最低的乙酸乙酯选择性。而Cu-BaO、Cu-SnO_2催化剂还原后主要以铜钡氧化物及铜锡合金的形式存在,因而其催化活性较差,Cu-Fe2O3催化剂由于较低的酸性在主产物乙醇选择性方面表现也较好。

稀土SnO_2半导体氧化物的气敏性质研究

制作了掺La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),Nd_2O_3稀土氧化物的SnO_2烧结型半导体气敏元件,测定了它们对于乙醇、丙酮、煤气、甲烷等十多种气体的气敏特性,结果表明上述元件的灵敏度和选择性均比不掺稀土的SnO_2元件高,此外,考察了元件的加热功率对灵敏度的影响,发现稀土对于某些气体具有化学增感作用。

基于宽禁带半导体氧化物微纳材料的紫外探测器研究进展

紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术,有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器,但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰,需要在高压下工作;而Si基光电二极管需要昂贵的滤光片。宽禁带半导体紫外探测器克服了上述两种器件面临的一些问题,成为紫外探测器研究的热点。其中宽禁带氧化物材料,具有易于制备高响应高增益器件、有丰富的微纳结构、易于制备微纳器件的特点,引起了人们的广泛关注。本文对宽禁带半导体氧化物材料的微纳结构器件进行梳理,对近年来的一些相关研究进行了综述。其中涉及的氧化物材料包括ZnO,Ga_(2)O_(3),SnO_(2),TiO_(2)等,涉及的器件结构包括金属-半导体-金属型器件,肖特基结型器件,异质结型器件等。

量子点太阳电池中半导体氧化膜与敏化剂结构调控研究进展

新一代太阳电池——量子点敏化太阳电池(QDSSC)由于具有吸收广、多激子和高稳定等独特优势近年来已得到初步发展。从量子点敏化太阳电池的原理入手综述了QDSSC中光阳极半导体氧化膜、量子点敏化剂的种类及两者间的结构调控、量子点制备方法这三大模块的研究进展,从原理上对光阳极半导体氧化膜、敏化剂的性能进行了简要合理的解释,并结合现存的问题提出了今后的发展方向。

如何降低电线电缆生产过程中铜导体氧化变色

根据铜的化学性质,采用物理方法阻隔铜与空气的接触,用抗氧剂钝化膜阻隔铜导体氧化,绝缘使用过氧化物交联剂,保持铜导体处于被还原状态,用阴极保护避免铜导体氧化等,能够降低电线电缆生产过程中铜导体氧化变色。

苏州纳米所等发现提升半导体氧化物SERS性能的新方法

自上世纪70年代表面增强拉曼光谱（SERS）面世后,贵金属基底的引入将拉曼检测灵敏度提升了百万倍,克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱等缺点,使得拉曼检测在食品安全、环境监测、生命科学等领域得到广泛应用,并迅速成长为最为灵敏的表面物种现场谱学检测技术之一。然而,

车辆用半导体氧化物模块组成的微型热电发生器

车辆用热电发生器是将汽车发动机排放的余热转化为电能的一种装置。一般由四个部分组成：热边热交换器、冷边热交换器、热电材料、压缩组装系统。汽车工业是热电发生器的主要应用领域之一，目的是提高燃油的经济性并减少废气排放。

车辆用半导体氧化物模块组成的微型热电发生器

（2013-203-罗马尼亚-002） 车辆用热电发生器是将汽车发动机排放的余热转化为电能的一种装置。一般由四个部分组成：热边热交换器、冷边热交换器、热电材料、压缩组装系统。汽车工业是热电发生器的主要应用领域之一，目的是提高燃油的经济性并减少废气排放。

金属氧化物半导体MEMS气体传感器研究进展

随着物联网的快速发展,各领域对气体监测的需求越来越大,基于先进微机电系统(Micro-electro-mechanical systems, MEMS)技术的金属氧化物半导体(Metal oxide semiconductor, MOS)气体传感器在过去几十年里取得了很大发展。MEMS微热板的多样化设计、MOSs纳米结构的多样化以及机器学习算法的出现为MEMS的传感性能以及智能传感系统的构建提供了很大助力。本文从MEMS气体传感器的分类、制备和应用以及传感器阵列的构建等方面综述了金属氧化物半导体MEMS气体传感器的最新研究进展,并对MEMS基气体传感器的发展前景进行了总结和展望。

石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂制备工艺研究进展

光催化剂因其具有强氧化性、高化学稳定性、环保、无毒性等优点,广泛应用于污水处理、空气净化、疾病治疗、环境修复等领域。为改善纳米光催化剂的光响应范围,添加石墨烯基系列材料已成为国内外的研究热点。综述了石墨烯基材料与半导体金属氧化物复合光催化剂研究现状,总结了不同制备工艺对石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂形貌结构和光催化性能的影响,对各类制备工艺的优缺点进行了比较,并指出了相关工艺需要克服的关键技术问题,展望了石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂未来发展方向,以期为提高半导体金属氧化物的光催化性能和石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂制备工艺的优化提供参考。

双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应

本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁.