美对华半导体管制的趋势、实施要点与中国因应

针对不断升级的中美半导体领域争端,本文梳理了美国对华半导体管制的趋势与要点。从特朗普政府到拜登政府,美对华半导体管制呈现出由“有限出口”向“全面出口管制”、由“5G”延伸至“AI”、由“大棒”扩展为“胡萝卜加大棒”、从“单边约束”扩展到“多边合围”的趋势。从管制要点来看,拜登政府在半导体产业链的所有关键环节都设计了阻碍中国技术进步的方案,不但限制高算力芯片成品对华出口,而且限制产业链上游的芯片制造设备、零部件、芯片设计软件出口以及产业链下游的算力租赁服务。针对美政府全方位围堵,本文提出对外强化与非热点半导体国家的联系、重视非传统技术路线半导体开发、借鉴比利时微电子研究中心运作模式发展共性技术机构等产业突围思路。

主题视角下的美国《2022年芯片法案》半导体管理与激励政策研究

美国《2022年芯片法案》是未来一段时期内美国芯片领域的指导性文件,对全球半导体技术发展、产业经济和供应链都将产生重要影响。分析美国《2022年芯片法案》,以隐性狄利克雷分布(Latent Dirichlet A llocation,LDA)模型的15个主题挖掘结果为基础,细粒度解读该法案半导体管理与激励措施,探讨其政策重点。美国《2022年芯片法案》提出由国家指导和授权半导体发展相关计划,其政策重点包括半导体激励措施的审查与监管、创建基金以激励半导体生产、培养半导体人才、优先支持美国关键制造业供应链实体等,结合中国半导体产业实际提出对策与启示。

基于半导体管壳的封装工艺优化与性能改进研究

半导体管壳封装在现代电子产品中扮演着至关重要的角色,保证器件的稳定性、可靠性和性能对整个电子产品的性能至关重要。本文对半导体管壳封装工艺进行了一定论述,在此基础上,进一步探讨了半导体管壳封装工艺优化,并结合半导体管壳的特点,从散热性能、电气性能以及可靠性等三个方面分析了封装性能改进措施,有助于半导体管壳封装性能的不断提高,进而为半导体的正常运行创造有利条件。

两半无限长圆柱形导体管内电位的计算与分析

分别运用分离变量法和有限差分法计算和分析两半无限长圆柱形导体管内电位的解析解和数值解,并通过MAT LAB编程算出其场域中一些点的电位结果,由相对误差的比较说明数值解的有效性,以此对保角变换的解析解结果进行了验证,找到缺陷并作了修正,从而说明把数值计算与求解析解综合起来分析场域内的电位分布会使结果更加可靠和准确.

基于导体管壁电磁流量计信号处理系统设计与实现

电磁流量计测量管壁为绝缘材料或者内壁附有绝缘层,但该结构限制了电磁流量计应用范围,同时绝缘层破损造成了测量误差。因此有一类电磁流量计去掉了绝缘层,但这种设计会导致流量计输出信号下降而影响测量。针对导体管壁电磁流量计输出信号减弱的特点,提出了信号补偿法,利用此方法对输出信号衰减程度进行判断,再此基础上进行信号补偿。实验证明该方法提高了导体管壁流量计的测量精度和稳定度,同时扩大了传统电磁流量计的使用范围。

磁体在导体管内下落现象的研究与应用

变化的磁场在导体内会引起涡电流。本文分析了磁体在导体管内下落这一现象 ,推导出磁体匀速下落的表达式 ,并介绍利用这一现象测量物体的一些物理量。

CaZr_(0．9)In_(0．1)O_(3-α)高温质子导体管的制备及性质表征

采用固相反应法合成了高温质子导体CaZr_(0.9)In_(0.1)O_(3-α).XRD分析表明,混合粉体经1673 K×10 h煅烧后形成了预期的钙钛矿结构的CaZrO_3基固溶体.激光粒度分析表明,煅烧后的粉体粒度呈双峰分布,主峰对应0.389-0.584μm,次峰对应3.409-5.867μm,平均粒径为1.878μm.采用热压铸成型并经1823 K×8 h烧结的质子导体管密度为理论密度的97.44%,SEM断口形貌显示其颗粒尺寸在1—3μm之间,结构致密.EDS和电感耦合等离子发射光谱分析(ICP- AES)表明,烧结后的材料中In含量降低.DSC-TG分析表明这是由于在烧结过程中部分In_2O_3升华和离解造成的.CaZr_(0.9)In_(0.1)O_(3-α)在空气氛中931-1300 K范围内的电导率为9.10×10^(-5)-1.21×10^(-2)S/xm,略低于氢气氛下的测定值,但高于CaZr_(097)In_(0.03)O_(3-α)在空气中的测定值,电导激活能为1.47 eV,符合理论预测.

磁体在导体管中下落现象的实验研究

分析影响磁体在导体管中下落收尾速度的因素 ,设计成用计算机采集数据的系列实验 ,验证理论分析的结果 .

计算机辅助实验研究磁体在导体管中的下落现象

分析磁体在导体管中下落速度与采集信号峰值的关系 ,利用教育部教仪所研制的《HPCI 1物理实验微机辅助教学系统》设计成系列实验 ,在高中物理课上开展研究性学习。

半导体管特性图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定

0引言 半导体管特性图示仪是一种能在示波器屏幕上观察和测试半导体管特性曲线和直流参数的测量仪器，具有广泛性、直观性、全面性、准确性等特点，使用面极为广泛，晶体管、场效应管、光电管、可控硅、三极管、二极管等，几乎所有的二端、三端的半导体器件均可进行观察和测试。图示仪不是用表头、指针读测数据，而是将半导体管的特性直接显示在示波管的屏幕上，一目了然。可直接读数进行分析、比较、挑选和配对。调整置于器件各端的电压值，可对半导体器件的所有直流参数进行测试。直接读测被测参数，测量准确度较高。图示仪作为一种通用仪器需要进行量值溯源，但是图示仪的检定与其他的通用仪器相比有其特殊之处，尤其是图示仪Y轴集电极电流倍率及阶梯电流的检定。针对其检定的特殊性和复杂性，下文简要介绍通用的检定方法。

求新求变静待景气反转——瑞萨半导体管理(中国)有限公司董事长兼总裁平泽大专访

2009年席卷全球的金融海啸持续向实体经济漫延,身为全球工厂与市场的中国也难以独善其身。在2008年历经变革的瑞萨(中国)公司将如何在这场全球性的危机中觅得转机,2008年的成绩是否还能在2009年续写,这都成为瑞萨(中国)公司及其新任掌门人平泽大先生的重大挑战。

MCU之王积极布局中国 2010年销售额增长100%——瑞萨半导体管理(中国)有限公司董事长山村雅宏访谈

全球MCU市占率第一的厂商株式会社瑞萨科技日前启动其新的中国战略和布局，将以多方合作为重心，通过设计、制造与销售，三管齐下推动中国销售额增长。瑞萨宣布，期望到2010财年之前在中国的销售额能够增长100％，并且MCU、TV用LSI和汽车电子等重点领域的产品市场份额同步扩大100％。

CS4801型半导体管特性图示仪较准仪研制成功

中国电子技术标准化研究院成功研制出CS4801型半导体管特性图示仪校准仪。

孪生半导体管及其应用

本文简单地介绍孪生管的特点与一般晶体管的比较,以及各厂家的型号和封装形式。最后以较大篇幅介绍它的用途以及设计电路时的注意事项和常用的三种电路形式。

XJ4810半导体管特性图示仪无级族信号故障的检修

半导体管特性图示仪是半导体器件测试的重要仪器 ,它的完好。

半导体管温度传感器的研究

根据半导体三极管的热敏特性，研制了温度传感器，对其测温原理和电路设计进行了理论及应用的讨论，并将其用于高温脱毒工艺中的温度监控．

基于AT89C51单片机的半导体管自动涂胶机的控制系统设计

详细阐述了基于单片机AT89C51的Ф4×2半导体管自动涂胶机控制系统的设计。该自动涂胶机控制系统采用单片机控制,实现自动涂胶、故障报警、自动计数、振动料斗频率的数字化控制等功能,保证各动作的协调一致性,正确完成半导体管点胶。