一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器

本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器。包括:衬底,衬底的上表面开设有凹槽,衬底的下表面开设有背腔,其中,凹槽与背腔相对设置;介质叠层,位于衬底的上表面和凹槽内,介质叠层的下表面外露于背腔;导电层,位于介质叠层的上表面,导电层上开设有多个开口,开口贯穿导电层.

半导体结构束缚下各向异性施主杂质中的混沌

研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质.

内部导体结构对GIS母线损耗发热的影响

为研究内部导体结构对GIS母线的损耗发热的影响,运用有限元方法,以单相GIS母线为例,建立其损耗发热的电磁场—流场—温度场求解模型。在综合考虑集肤效应、涡流损耗、电导率温度效应、对流与辐射散热、以及重力加速度等多种因素影响的基础上,针对圆环、八边形、开缝圆环及开缝八边形等内部导体结构设计方案,计算分析了母线的热源和温度分布规律,并与测量数据进行了比较。结果表明:对于上述4种单相GIS母线内部导体结构,当母线水平放置时,其温度分布的大致规律为:内部导体与金属外壳的温度分布呈上高下低,左右对称的规律,在两者之间的气体空间,等温线呈弯曲的S型分布,同一圆周上温度分布并不均匀,整个母线最高温度位于内部导体。而内部导体开缝,对加强气体流动散热,降低自身温度,具有明显的效果。没有棱角或棱角较少的内部导体,由于最大电流密度、最大损耗密度及总损耗均低于棱角较多的内部导体,从而在开缝后具有较低的温度。

角向多导体结构中TM波分析

研究了角向多导体结构中的 TM 波,求出了系统中的场分布表达式与这种结构 TM 波的特征方程,对特征方程进行了数值求解。

毫米波多内导体布喇格结构电磁特性研究

基于多模耦合理论,利用三维电磁仿真软件CST对毫米波双内导体和三内导体布喇格结构电磁特性分别进行了比较研究。结果表明:双内导体布喇格结构相比同轴布喇格结构可以抑制竞争模式,反射率稳定并接近1,对称性结构电磁特性优于非对称性结构;随着内导体距离同轴轴心距离的增大,双内导体布喇格结构频率响应带宽变宽,且当内导体距离同轴轴心距离较远时,带宽变宽趋势明显,而反射率值趋于稳定;对于三内导体布喇格结构,随着内导体距离同轴轴心距离的增大,频率响应带宽变窄,且当内导体距离同轴轴心距离较近时,带宽变宽趋势明显。因此,可根据实际需要恰当选择毫米波多内导体布喇格结构参数,拓宽其作为反射器或者滤波器的性能,提高模式的选择性及模式的纯度,改善布喇格结构的性能。

探究低维半导体结构中的电子运输

近几年来,学术界针对低维半导体材料的研究逐渐增多,已经成为半导体科学技术领域中研究的热点问题。电子运输性质是低维半导体结构研究中的一个关键问题,是充分发挥出低维半导体材料作用的必要因素。该文将针对超晶格、量子线和量子点3种低维半导体结构的电子运输进行深入分析。

降低“地”等单导体结构中的谐振风险

“地”等单导体结构会产生严重的电磁兼容(EMC)问题,由于较难发现,很容易被忽视。研究了“地”等单导体结构形成谐振的机理及消除谐振产生的EMC风险的措施。阐述了平面和腔体模式结构谐振的电磁场原理以及杂散LC结构谐振的等效电路原理。对几个典型案例进行了分析。讨论了平面和腔体结构谐振、杂散LC结构谐振的区别及联系。最后详细说明了如何利用试验工作台发现和解决结构谐振问题,并提出了降低谐振的方案。

一种制备金红石型二氧化钛及其形成半导体结构的方法

本发明公布了一种金红石型二氧化钛的制备方法。具体方法：1）将过渡金属（如钒、铬、钨、锰、钌、锇、铑、铱、铂、锗、锡或铅）置于氧气（O2）氛围使之氧化，反应温度为200—400℃；

双频带柔性人工磁导体结构研究

人工磁导体能够减小人体生物组织对人体通信天线性能的影响。根据等效电路模型以及软件优化仿真明确3×3人工磁导体结构单元形状和尺寸参数。结合人体手臂生物组织模型进行仿真,以0.05 mm厚度聚酰亚胺为基底材料、铜为导电材料,加工制作正方形人工磁导体结构辐射单元和天线并在人体手臂进行实测。仿真与测试结果表明辐射单元结构尺寸设计为S1=24 mm,S2=23 mm,S3=12 mm,S4=7 mm,能够确保天线工作在2.45 GHz和5.80 GHz双频段,将人体SAR值在2.45 GHz时降低了86%,在5.8 GHz降低了64%,AMC结构和天线相距5 mm时,实测天线回波损耗S（11）参数曲线与理论结果相符,可以满足双频带安全人体通信的应用需求。

科学家首次成功地在硅上集成50μm的厚锗——构造单片半导体结构技术取得突破

瑞士和意大利的科学家在2012年3月30日出版的《科学》杂志上指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大的突破，成功地在硅上集成了50μm的厚锗；新结构几乎完美无缺，最新的研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。微电子设备几乎离不开硅，硅价格低廉、储藏丰富且坚固耐用。但硅也并非万能，有些材料的性能也比硅强，因此科学家正在想方设法地让硅同锗等其它半导体材料“联姻”，以获得这两种材料的最好性能，拓展新的应用领域。

英飞凌利用多栅技术取得创新突破:三维制胜——全新半导体结构大幅改善能源效率

与当今的平面单栅技术相比．多栅技术能够在保持高功能性的同时大幅度削减功耗。在这项新技术的一次演示中．英飞凌研究人员成功测试世界上第一个运用全新6Bnm多栅晶体管结构制造的复杂集成电路。与目前具有同等功能与性能的平面单栅晶体管相比．全新晶体瞥的尺寸要小30％．静态电流值降低了10倍。据研究人员计算．这种多栅技术将大大提高移动设备的能源效率和电池工作时间（比已经投产的65nm工艺高出一倍）。对于未来技术节点（32nm及更高水平）．能源效率的提高幅度将更大。

新型功率半导体结构使可持续能源成为可能

最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

新型功率半导体结构使可持续能源成为可能

最新估计表明，到2050年我们所需要的能源可能会达到现有能源的两倍。矿物燃料的有害影响和隐约出现的短缺促使人们最近开始加速寻找环境友好型、可持续发展的新能源。

一种新的扇形导体结构

主要介绍一种的通用结构，也就是用一个规格单线组合成截面35－300mm^2的扇形结构。

美科学家研究新奇半导体结构能让光线迷路

美国普林斯顿大学的研究人员发现的新型超材料拥有负折射率，从而让光线也“迷路”。该大学领导的科研团队已经发明了一种可以从计算机集成电路块中很容易获得的物质，这种材料具有独门绝技能够让光线“迷路”，而不是像普通材料那样反射。这一惊人性能可以扩展出许多重要区域，包括高速通讯、医学诊断和检测恐怖分子威胁。

电子在自旋-轨道耦合调制下磁受限半导体纳米结构中的传输时间及其自旋极化

通过考虑构筑在半导体GaAs/Al_(x)Ga_(1–x)As异质结上的磁受限半导体纳米结构中的塞曼效应和自旋-轨道耦合,本文采用理论分析和数值计算相结合的方法研究了电子的传输时间与自旋极化.利用矩阵对角化和改进的转移矩阵方法,数值求解电子的薛定谔方程;采用H.G.Winful理论求电子的居留时间,并计算自旋极化率.由于塞曼效应与自旋-轨道耦合,电子的居留时间明显地与其自旋有关,因此可在时间维度上分离自旋、实现半导体中电子的自旋极化.因为半导体GaAs的有效g-因子很小,电子自旋极化主要源于自旋-轨道耦合,大约为塞曼效应引起的自旋极化的4倍.由于电子的有效势与自旋-轨道耦合的强度有关,电子的居留时间及其自旋极化可通过界面限制电场或应力工程进行有效调控.这些有趣的结果不仅对半导体自旋注入具有参考价值,而且还可为半导体自旋电子学器件应用提供时间电子自旋分裂器.

Rashba自旋-轨道耦合调制的单层半导体纳米结构中电子的自旋极化效应

利用现代材料生长技术纳米厚的半导体可以沿着良好的方向有序生长,形成层状半导体纳米结构.在这种半导体纳米结构中由于结构反演对称性破缺出现较强的自旋-轨道耦合,能有效消除半导体中电子的自旋简并,导致电子自旋极化效应,在自旋电子学领域中具有重要的应用.本文从理论上研究了单层半导体纳米结构中由Rashba型自旋-轨道耦合引起的电子自旋极化效应.由于Rashba型自旋-轨道耦合,相当强的电子自旋极化效应出现在该单层半导体纳米结构中.自旋极化率与电子的能量和平面内波矢有关,尤其是其可通过外加电场或半导体层厚度进行调控.因此,该单层半导体纳米结构可作为半导体自旋电子器件应用中的可控电子自旋过滤器.

三维交错结构短导体在输电杆塔接地装置中的应用方法

降低杆塔的冲击接地电阻是提高输电线路反击耐雷水平的有效措施,而目前的各种降阻方法普遍存在技术经济性及施工难度难以兼顾的问题。在接地体上添加短导体,兼具降阻和施工简便的优势。为此,研究利用三维交错结构短导体降低杆塔冲击接地电阻的方法,并给出短导体的参数优化方法。首先,考虑土壤非线性电离影响在内,采用CDEGS软件对添加短导体接地装置时的冲击接地电阻进行计算,计算结果表明三维交错结构短导体具有更好的降阻效果;然后,以单位长度降阻率和最小冲击接地电阻为指标,对三维交错结构短导体的长度和间隔进行参数优化;最后,以1000Ω⋅m土壤电阻率为例,求得短导体的最优长度和最优间隔分别为1.1、2.8 m,添加三维交错结构短导体的接地装置可降低16.52%的冲击接地电阻。研究结果可为输电杆塔接地装置的设计提供方法指导。

SrTiO_3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3(STO)薄膜 .研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体 (MIS)结构的介电和界面特性 .结果表明 ,STO薄膜显示出优异的介电性能 ,在 10kHz处的介电常数约为 10 5 ,损耗低于 0 0 1,这来源于多晶结构和良好的结晶性 ;MIS结构中的固定电荷密度Nf 和界面态密度Dit分别约为 1 5× 10 1 2 cm- 2 和(1 4— 3 5 )× 10 1 2 cm- 2 eV- 1 ,这主要与Si STO界面处形成的低介电常数界面层有关 .