半导体缺陷的电子结构计算方法研究进展

半导体材料的掺杂与缺陷调控是实现其应用的重要前提.基于密度泛函理论的第一性原理缺陷计算为半导体的掺杂与缺陷调控提供了重要的理论指导.本文介绍了第一性原理半导体缺陷计算的基本理论方法的相关发展.首先,介绍半导体缺陷计算的基本理论方法,讨论带电缺陷计算中由周期性边界条件引入的有限超胞尺寸误差,并展示相应的修正方法发展.其次,聚焦于低维半导体中的带电缺陷计算,阐述凝胶模型下带电缺陷形成能随真空层厚度发散的问题,并介绍为解决这一问题所引入的相关理论模型.最后,简单介绍了缺陷计算中的带隙修正方法及光照非平衡条件下掺杂与缺陷调控理论模型.这些工作可以为半导体,特别是低维半导体,在平衡或非平衡条件下的缺陷计算提供指导,有助于后续半导体中的掺杂和缺陷调控工作的进一步发展.

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议（11th International Conference on Defects-Recognition，Imaging and Physics in Semiconductors（DRIP XI））于2005年9月15-19日在北京举行，来自26个国家（地区）的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办，会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士，会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授；会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。

半导体缺陷的研究进展

第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行，共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究专家、俄罗斯科学院固体物理研究所所长V．Kvedel（克维德）教授，会议国际顾问委员会由著名半导体材料与物理专家Pizzini、Cavanili、Jones等教授组成。

半导体缺陷研究

第20届"半导体缺陷"国际学术会议(ICDS-20,International Conference on Defects inSemiconductors)于1999年7月26～30日在美国伯克利市举行,共有300名代表参加。会议主席是著名学者E.E.Haller教授,会议程序委员会主席由N.Johnson教授担任,会议成立了由K.Sumino,W.Jantsch等5人组成的国际指导委员会和15人左右的国际顾问委员会。本次会议录取论文324篇,其中口头报告104篇。

韩制可伸缩石墨烯晶体管克服传统半导体缺陷

据报道，韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质。新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。相关研究报告发表在最近出版的《纳米快报》杂志上。

半导体材料缺陷工程

第8届半导体技术吸杂和缺陷工程会议((Gettering and defect engineering in semicon-ductor technology,GADEST’99)于1999年9月25日至28日在瑞典隆德市附近的赫尔(HOOR)举行。来自24个国家的百位科学家参加了会议,会议交流论文近百篇,浙江大学一篇关于硅中氮杂质研究的论文在大会宣读。

Laplace缺陷谱方法研究

本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Laplace逆变换处理来实现多指数瞬态的分解．结果表明，此方法具有较高的分辨率，而且存储和计算量较小，适用于进行常规的深能级瞬态精细结构测量．

滤波电缆原理与应用展望

电缆被称为工业的“血管”和“神经”,广泛应用于设备互联。然而,传统电缆不具备分布式滤波功能,通常成为电磁兼容(EMC)性问题的主要耦合路径。滤波电缆,可以通过在绝缘电线上包裹采用柔性印刷电路板(FPCB)制造的特定缺陷导体层(DCL)、在绝缘圆柱体上包裹缺陷导体传输结构(DCTS),使其能够在轴向上实现分布式滤波功能。DCL或DCTS上具有特定蚀刻图案的导体起到等效的集总电路作用,被加到电缆电路中实现滤波功能,从而抑制干扰信号。采用微波网络分析技术可以高效地分析级联特性。国内外的研究现状和本团队的主要研究成果表明,滤波电缆能够有效实现分布式滤波功能,有望为复杂电磁环境防护提供一种新的解决方案。

铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征

利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与Sn_(Zn)相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。

硅烷交联聚乙烯电缆绝缘线芯火花检验击穿原因的分析及工艺改进

本文主要阐述了硅烷交联聚乙烯电缆在制造过程中 ,绝缘线芯容易出现由各种原因引起的火检 (火花检验 )击穿 ,通过对击穿原因深入分析和研究 。

高纯锗中浅受主的光热电离光谱

在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.

高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围.在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号.随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变.通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模型能正确解释外加磁场作用后产生的现象,得到了实验的支持.

我与黄昆先生的几次交往

2019年是黄昆先生诞辰百年,他的治学作风和为人风范是中国教育和科学工作者的楷模,将永驻青史。我有幸与黄昆先生的几次交往,给我留下了不可抹去的深刻印象。1黄昆先生的第一次到访20世纪70年代初,我在天津半导体技术研究所工作,黄昆先生身着朴素的中山装来访我们研究组,面对这位学界泰斗,我们几个年轻人不知所措。黄先生看我们拘谨,就开玩笑说:“主人都站着,我这个客人也不好坐呀。”一句话打破了僵局,原来大师是如此平易近人。

局域表面等离子体共振效应在光催化技术中的应用

表面等离子激元是物理效应在光催化技术应用中的典型代表之一,作为新型光场调控技术为光催化技术的发展开辟了新的方向和思路,能够从全新的角度解决光催化技术的发展瓶颈,在过去十年来得到了广泛的研究。局域表面等离子体共振效应能够通过调节纳米颗粒的组成、形貌和介质环境等因素调控光催化体系的光谱响应范围。除此之外还能够通过增强光散射、热电子注入、诱导产生强烈的局域电场、加热周围环境等方法来增加光催化剂的氧化-还原反应速度、物质传输以及极化光催化材料表面的吸附分子,从而进一步增强材料的光催化性能。将这些优势集成到光催化材料体系中,能够显著提高传统光催化材料的太阳能转换效率,这是一个非常值得关注的发展方向。本文综述了局域表面等离子体共振效应在光催化技术中应用的基本原理、调控规律和应用等方面的研究进展,着重讨论了热电子的产生和迁移过程,贵金属中带间跃迁和表面等离子体共振效应的制约关系。最后,总结了表面等离子体光催化剂所面临的问题和挑战,并进行了相应的研究展望。