铁掺杂浓度对Ba_(0.5)Sr_(0.5)Co_xFe(1-x)O(3-δ)混合导体膜性质的影响

用湿化学法合成了Ba0 .5Sr0 .5CoxFe1 xO3 δ系列混合导体透氧膜材料 ,并用XRD ,O2 TPD ,H2 TPR和透氧测定等手段考察了铁离子掺杂浓度对导体膜相结构及其稳定性、氧脱附性能和透氧能力等的影响 .在氧浓度为 2 .13× 10 4 ～ 0 .1Pa的范围内 ,x =0 .2～ 0 .8时材料保持为立方钙钛矿结构 .铁含量的增加有利于材料钙钛矿结构在低温的稳定化 ,并提高了材料的热化学稳定性 .然而 ,导体膜的透氧量却随着铁含量的增加而减小 .

纳米结构导电聚合物和半导体膜的组装和表征

简述了近年来新发展的几种纳米结构导电聚合物和半导体的构建方法 ,并对所制备的纳米结构导电聚合物和半导体进行表征 ,发现一些如光电化学纳米效应、光电流谱拓宽和量子尺寸效应等有趣的现象 .

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子

一步法电沉积CuInSe_2半导体膜

在以ＩｎＣｌ３、ＣｕＣｌ、ＳｅＯ２为主盐，酒石酸为络合剂，聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中，在Ｍｏ片或Ｔｉ片上进行阴极电沉积，可获得ＣｕＩｎＳｅ２半导体膜，它与ＣｄＳ组成的ｎ－ＣｄＳ／ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２光电池光电效率可达７％～８％，部分达１１％。

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10^(-4)(?)cm以下。

高效高稳定PBI基质子-电子混合导体膜300℃下一步实现纯氢分离

氢能利用是实现“碳达峰”、“碳中和”目标的关键技术之一.燃料电池等用氢装备对氢气纯度要求极高,因此多数工业副产氢均需经过提纯才能使用.相对于变压吸附工艺,无机膜分离纯氢技术可在高温条件下进行,热的化工尾气或重整气不需降温直接实现分离提纯,可大大降低生产成本.然而目前高通量、高选择性、高稳定性的透氢膜在材料选择和制备、亚纳米孔结构设计以及合成工艺与成本等方面仍面临巨大的挑战.

半导体膜过滤系统在钢帘线乳化液处理中的应用

乳化液在机械加工中被广泛应用,所排放的废乳化液浓度高、含油量高,对环境危害大。废乳化液由于表面活性剂的存在处理难度较大。通过半导体膜过滤系统对轴承厂废水进行处理COD去除率可达99.9%,出水COD质量浓度可降至30mg/L。结果表明该工艺处理效果好、运行稳定、投资省等优点,特别适用于中小规模机械加工厂的难处理含乳化油废水。

科学家用半导体膜模拟生物离子通道

美国Illinois大学的科学家们设计出一种半导体膜能够提供比生物膜更优秀的弹性和电学性能。这种由薄硅层掺杂而成的膜还能够应用在单分子探测、蛋白过滤、DNA测序等领域中。

关科学家设计出硅半导体膜

美国伊利诺斯大学研究人员表示，他们设计出一种硅半导体膜，同生物膜相比，半导体膜更富有弹性，并具有更佳的电性能。同时，他们认为，新设计的利用掺杂不同的硅层获得的固体膜具有广泛的应用前景，其中包括单分子探测、蛋白质过滤和DNA测序。

美科学家设计出硅半导体膜

美国伊利诺斯大学研究人员表示，他们设计出一种硅半导体膜，同生物膜相比，半导体膜更富有弹性，并具有更佳的电性能。同时，他们认为，新设计的利用掺杂不同的硅层获得的固体膜具有广泛的应用前景，其中包括单分子探测、蛋白质过滤和DNA测序。

可替代生物膜的半导体膜问世

据媒体报道，美国伊利诺斯大学的研究人员利用掺杂不同的硅层设计出一种硅半导体膜，同生物膜相比，半导体膜更富有弹性，并具有更佳的电性能，应用前景十分广泛，可用于单分子探测、蛋白质过滤和DNA测序等。

金属微粒-半导体薄膜中小胶粒的光吸收和散射

金属微粒-半导体薄膜具有特殊的电学、光学及光电特性。本文讨论了埋藏于半导体基体中金属小胶粒光吸收和光散射公式。这些胶粉可以是球形,也可以是长球或扁球形。本文以银胶粒-氧化铯半导体为例,讨论了胶粒大小、椭球的偏心率对相对光吸收系数和光散射系数的影响,并给出这些系数随波长改变的曲线。

金属掺杂对半导体薄膜光学性质的影响

研究了射频溅射法制备的半导体膜的光学特性。通过样品透射谱分析,发现在半 导体In2O3材料中掺入金属Fe颗粒的薄膜中,电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接 跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后,母体材 料与金属颗粒的界面处表面态增多,以及母体材料的非晶化引起的。

半导体催化膜上泵氧甲烷氧化偶联反应的研究Ⅰ.传递体系的反应

在常压及 6 5 0℃下 ,考察了CaO ,SrO ,La2 O3,ZnO ,TiO2 ,CeO2 和MnO2 膜上外加电流为 16～ 90mA时传递物系的甲烷氧化偶联反应结果 .结果发现 ,在n型和 p型半导体催化膜上 ,CO2 ,C2 H4 和C2 H6的生成速率都随泵氧量的增加而增大 ,而C2 烃选择性随泵氧量的增加而下降 ,但 p型半导体膜上的C2 烃选择性比n型半导体膜上的要高 ;p型半导体膜上C2 烃选择性与其电导率大小顺序相一致 .增强因子的分析结果表明 ,在传递体系中 ,p型半导体膜上增强因子的值小于 1,但随泵氧量的增加而存在极大值 .在CaO膜上 ,传递体系比开路体系的C2 烃选择性高 。

担载型中空纤维混合导体氧渗透膜的制备与性能研究

采用干湿法纺丝技术制备Sr0.7Ba0.3Fe0.9Mo0.1O3-δ(SBFM)中空纤维支撑体,以Nb2O5掺杂的Sr Co0.8Fe0.2O3-δ(SCFNb)为膜材料,采用旋转喷涂结合共烧结技术制备出担载型SCFNb/SBFM中空纤维氧渗透膜。借助于XRD、SEM、热膨胀分析、透氧及膜反应性能测试等手段,分别对样品的晶相结构、膜微观结构、支撑体与膜层的烧结行为、膜的氧渗透通量及膜反应性能进行了研究。结果表明,膜层与支撑体的晶相结构仍保持钙钛矿主体相。支撑体具有单一海绵孔/指状孔结构,膜厚为5?m且致密无缺陷,膜层与支撑体结合良好。在900℃时,氧渗透通量达到0.74 m L/(cm2·min)。850℃下甲烷部分氧化膜反应稳定操作超过200 h,稳态下氧渗透通量为4.5 m L/(cm2·min)。研究表明,担载型SCFNb/SBFM中空纤维氧渗透膜具有较高的氧渗透通量,同时具有良好的膜反应稳定性。

混合导体透氧膜用于甲烷部分氧化制合成气研究进展

介绍了混合导体透氧膜用于甲烷部分氧化制合成气研究状况。对钙钛矿型透氧膜材料的结构对透氧量和稳定性的影响、透氧膜在还原性气氛下的稳定性、膜的表面修饰以及混合导体透氧膜在甲烷部分氧化制合成气的应用前景进行了评述。

厚膜金导体浆料

概括介绍了厚膜金导体浆料。通过改变金粉、粘结剂和有机载体等主要组份的类型和含量 ,可以制得多种金浆料。①粘结剂类型对厚膜金导体的性能有较大的影响。根据附着机理分类 ,厚膜金导体分为 4种主要类型 ,即玻璃结合型、反应结合型、混合结合型和表面活化结合型。②金粉颗粒的均匀性、单分散性、表面形态及尺寸对浆料的印刷性能和烧结性能影响大。颗粒表面越光滑 ,对提高印刷性能越有利。光滑的表面吸附有机载体较少 ,可减少导体膜在烘干—烧结时的收缩率。③有机载体的含量和流变学性能影响金浆料的印刷性能及烘干—烧结时的收缩率。④金浆中添加起合金化作用的元素 ,可提高导体在铝丝键合体系及Pb -In焊接体系的热老化性能。⑤为适应新的厚膜工艺技术的需要 ,研制可光刻的厚膜金导体浆料和金的金属有机浆料 [AuMOC]

混合导体透氧膜材料的开发及应用

介绍开发的混合导体透氧膜材料ZrO2 掺杂的SrFe0 .6 Co0 .4 O3-δ类钙钛矿型氧化物及Sr(Co ,Fe ,Zr)O3-δ系列钙钛矿型氧化物的晶体结构、氧渗透性能、稳定性 ,以及应用于甲烷部分氧化制合成气膜反应器的性能 。

混合导体透氧膜的制备及其应用

介绍了混合导体透氧膜在天然气增值转化中的重大应用。

纳米半导体颗粒膜的研究现状

介绍了纳米半导体颗粒膜的制备方法及研究现状,提出了纳米半导体颗粒膜研究的问题和今后的发展方向。