非导体表面金属化

介绍了非导体表面金属化技术。阐述了化学镀、直接电镀技术Futuron工艺、化学还原、接枝共聚表面处理新技术,并分析了近年来在非导体金属化方面关键技术的改进和发展;介绍了非导体金属化技术的应用领域,并对金属化技术的应用前景进行了探讨。

带电导体表面的电场强度

带电导体表面的电场强度有突变，本文论述了导体表面上一点的场强为，即为导体外场强大小的一半。

电场对极性半导体表面（或界面）极化子行为的影响

采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面（或界面）极化子行为进行了研究。当电场较弱时（１０４Ｖ／ｍ以下），表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量随电场增加而线性地减小，但其影响甚小，在中等强度的电场下（１０４～１０５Ｖ／ｍ），电子－声子间的耦合逐渐减弱，电子－电场相互作用逐渐增强，体现在表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量更加明显地减小。当电场高于某一极限电场时，电子成为准自由电子。

导体表面电荷不均匀分布的数值计算

用积分法分析了被屏蔽导体表面的电荷分布，提出一种具有特殊场域的求解电场的方法，为了求解在奇异点的积分，提出一系列解析公式，可以避免复杂的数学处理．还分析了一个具体实例的临近效应。

Ⅳ族半导体表面和界面结构与特性

为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构，然后对发生在Ｇｅ（１１１）和（１１３）表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动作了介绍，最后阐述决定Ⅲ族金属／Ⅳ族半导体界面的结构的３个共同要素。

电磁波在导体表面的反射与折射

本文给出了正弦均匀平面电磁波 (SUPW)对导体表面斜入射时的反射系数与折射系数 ,并经严密推导得到了实数折射角的表示式。

静电场导体表面场强高精度插值公式

针对静电场中导体表面电场强度的计算,本文充分利用导体表面的几何特性和等位面特性,推导了一种高精度的对数插值公式。这一对数插值公式较目前为止精度最高的指数插值公式又有重大改进。作为极限情况,本文还推出了导体表面为圆球面、圆柱面以及平面时,对数插值公式的特殊形式。计算实例表明,对数插值公式比指数插值公式精度明显提高,可以取代指数插值公式。

静电平衡时导体表面带电极限的经典讨论

０引言导体在静电平衡时所具有的性质之一是导体内部处处没有未抵消的净电荷（即电荷的体密度ρｅ＝０），电荷只分布在导体的表面［１］。由此可以提出下面的问题：当导体表面原子的价电子全部失去了以后，如果再继续充正电，则内部原子就要开始失去电子，产生的正电荷将...

半导体表面和界面电子态的研究进展

本文第一部份介绍了近年来有关半导体表面和界面电子态的一些实验与理论研究结果以及目前大家感兴趣的课题,第二部份则介绍理论研究方面主要使用的方法以及方法的特点和不足之处。

关于导体表面的电荷分布问题

科学在争鸣中前进,《关于导体表面的电荷分布问题》是数学家同物理学家的商榷。

半导体表面附近施主原子电离能计算

利用一维化Euler方程的方法计算了表面附近施主原子电离能.结果表明,当核处于表面上时,该一维方程具有与Levine精确解相匹配的解析解,且定量地符合Hellmann-Feynman定理的要求;当核远离表面时,方程的渐近解与自由施主原子一致.

带电导体表面的场强和场力

本文从静电平衡条件下导体表面电荷实际上存在纵深分布的情况出发，通过特例，定量讨论了一般电磁学教材未曾触及的导体表面场强和场力问题，并对所得结果进行了分析和推广。

基于人工磁导体表面的低剖面Fabry-Perot谐振腔天线设计

该文基于人工磁导体表面(Artificial Magnetic Conductor,AMC)设计了一款工作在7 GHz的新型低剖面Fabry-Perot谐振腔天线.该天线采用带金属接地板的矩形微带贴片天线作为初级馈源,由同轴探针进行馈电.以单层双面印制AMC表面作为天线的部分反射层,所设计AMC表面共包含8×8个均匀阵列单元,单元上层为带有方环的方形贴片,下层为菱形贴片.通过分析不同结构参数对AMC散射特性的影响,确定AMC反射相位为-25°,使得腔体的剖面高度降低至约9.2 mm(0.215λ,λ为7 GHz自由空间波长).制作了天线实物并进行测量,结果表明,天线阻抗带宽(S11<-10 dB)为14%(7 GHz~8.5 GHz),增益达到13.8 dBi,旁瓣水平低至-21.3 dB,表明该天线在保证低剖面同时仍具有良好的辐射性能.

带电导体表面上一类凸出尖端的尖端效应

带电导体表面电荷分布的研究,特别是尖端放电效应的研究,是人们长期关心的问题,其主要原因是人们要研究电场的放电及电离作用.本文利用经典电场理论中的已有结论,导出带电导体表面几种凸出小尖端表面顶部最大电荷面密度的表示式.

导体表面所受的静电力

分别从静电场的基本规律和电磁场的动量守恒定律出发，推导出了静电场中导体表面所受的静电力表达式。

隔离开关导体表面优化处理与成本控制

隔离开关是一种裸露在大气环境中的一种电器产品，为了保证隔离开关在工作年限内可靠工作，必须限制各种材料的发热温度，使其不超过一定温度，以保证多个通流接触区域不至温升超标。

过渡金属原子在半导体表面上化学吸附理论

本文研究了过渡金属原子d轨道同村底半导体SP杂化轨道之间存在两种不同耦合系数的化学吸附问题,采用自洽的格林函数方法,计算了吸附原子d电子在强、弱耦合态上的占据数,化学吸附能、电荷转移及磁性解磁矩。