磁性吸收剂掺杂半导体颗粒的吸波性能分析

为有效提高吸波材料的吸波性能,本文研究了铁氧体掺杂半导体颗粒的吸波性能。利用等效电磁参数模型,在保证阻抗匹配的基础上,确定了添加半导体颗粒的体积分数和最优电导率。通过计算材料的反射率、阻抗匹配特性和衰减系数,结果表明,利用介电常数较小的半导体颗粒掺杂磁介质型铁氧体微波吸收剂,能够降低材料复介电常数的实部并且提高虚部,可以很好地改善吸波材料对电磁波的衰减能力,并且在提高吸波性能的同时,保持材料对于空气较好的阻抗匹配特性。

SiO_2/Zn_(1-x)Mg_xO复合半导体颗粒的制备及其光谱特性

利用异相成核种子生长法,采用锌镁盐浸渍和800℃固态烧结两处理步骤,在亚微米级的单分散SiO2球上沉积Zn1-xMgxO。通过XRD、TEM和SEM表征,SiO2表面具有一层约17nm厚的Zn1-xMgxO壳层,EDX证明其组成为Si、O、Mg、Zn,同SiO2/ZnO比较,UV-Vis测试发现其具有更好的紫外吸收性能,红外谱图显示SiO2表面的硅羟基被SiO2和Zn1-xMgxO之间的界面键取代,在波长290nm的紫外光激发下出现了398nm紫色荧光峰和468nm及451nm2个较强的蓝色荧光峰。

纳米半导体颗粒膜的研究现状

介绍了纳米半导体颗粒膜的制备方法及研究现状,提出了纳米半导体颗粒膜研究的问题和今后的发展方向。

半导体颗粒整列的整列板运动振型分析

针对制冷片中半导体颗粒的自动整齐排列问题,根据颗粒之间排列的间距和方向设计整列板上表面的凹槽,让半导体颗粒在整列板上运动并落入凹槽中,从而实现半导体颗粒的自动整齐排列。运用ADAMS软件建立半导体颗粒在整列板上的运动仿真模型,对整列板添加不同的运动振型,运用正交试验方法设计仿真方案,以半导体颗粒完成整列花费的时间为仿真指标,运行仿真并得出不同运动振型下的仿真结果。通过对仿真数据进行对比分析,找出适合半导体颗粒整列的最佳运动振型,为半导体颗粒自动化整列装置的设计提供参考依据。

无机半导体颗粒填充聚合物复合材料的研究进展

综述了无机半导体颗粒填充聚合物复合材料的研究背景,重点介绍了填充半导体ZnO颗粒和SiC颗粒聚合物复合材料的导电特性,以及填充高介电常数BaTiO_3颗粒聚合物复合材料的介电特性的研究进展,并介绍了这些材料在抑制电气绝缘材料老化问题方面的应用研究。

平板电极上单层密集排列的导体颗粒因传导带电所带电量的计算

用电动力学的理论分析了在平面电极板上单层密集排列的大小相同的导体小球被传导带电时电场的分布情况,推导出其中的一个导体小球因传导带电所带电量的上限和下限的计算公式,所得带电量的上下限的算术平均值与实际值的相对误差不到6%。讨论了单层密集排列的尺寸一样的圆片形导体颗粒、椭圆片形导体颗粒因传导带电而带的电荷量的计算问题。计算结果表明,导体圆球单层密集排列时其中的一个圆球的带电量,是在平面电极板上只有一个导体圆球被传导带电时所带电量的约1/6,表明单层给料时导体颗粒分布的疏密程度对其因传导带电而带上的电荷量有明显的影响。这可能是一个在静电选矿时提高导体颗粒带电量方面的研究方向。

基于半导体颗粒和碳纳米管的新型杂化材料开发成功

据报道,西班牙马德里纳米科学高级研究中心与德国汉堡大学的研究人员日前共同开发了一种基于半导体颗粒和碳纳米管的新型杂化材料。半导体纳米晶体(也称作量子点)有着宽广的吸收谱线。

镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态

介绍了有关镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态。这种材料具有准零维量子点特征，其三阶光学非线性系数大，响应快，功耗低，在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域具有广阔的应用前景。

半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展

从全光通信对光子器件的要求出发 ,报道了近年来在半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展。强量子限制效应可以大大地减小激子的寿命 ,但这种材料 ( - 族例外 )普遍存在着长寿命的俘获态 。

半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学

报道了近年来半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解。

半导体纳米颗粒镶嵌薄膜光学性能的研究及进展

由于三维量子限域效应的作用,半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料呈现出与块体材料完全不同的光学性能,如非线性光学效应、光致发光等。这些优良特性使半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料在光电器件、太阳能电池、传感器、新型建材等领域有广泛的应用前景,并日益成为关注焦点。从这种材料的内涵及大概分类出发,阐述了其相关的光学理论,如三维量子限域效应、光致发光的机制等,介绍了III-V族(GaAs,GaSb,InP等)和IV族(Si,Ge)半导体纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性能方面的研究进展。

镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望

从高速全光器件和光电集成器件对材料的要求出发,报道各族半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料的研究近况,并对今后材料研究的主攻方向发表见解.

MgB_2颗粒超导体临界电流的温度特性研究

通过制备MgB2/MgO超导复合材料,获得了典型的MgB2弱连接颗粒超导体,并测量了该样品在不同温度下的I-V特性曲线。在I-V曲线中,我们发现:当电流超过临界电流时,电压随着电流先是缓慢的增长,在电流升到一定值时,电压有一个很陡的突变。我们对这一变化进行了研究,认为这是由于MgO杂质使MgB2的晶界效应增强所引起的。该样品的临界电流和温度的关系满足:jc(T)∝(1-T/Tc)1.3,利用三维Josephson结网络系统的渗流模型进行计算发现,当颗粒超导系统处于非均匀状态时,临界电流和温度满足关系式jc(T)∝(1-T/Tc)4/3,这一结果和我们的实验符合的非常好。

半导体纳米颗粒电子的超快弛豫过程

为了研究在飞秒激光作用下半导体纳米颗粒的超快动力学过程,建立了一个带表面态的三能级结构的载流子弛豫简化模型,得出各能级的电子速率方程.利用数值模拟方法模拟出各能级电子密度和差分吸收率随时间的变化情况,得知由于吸收截面的变化,差分吸收谱会有一个超快的变化过程.并将模拟结果与FanxinWu等人的实验结果相比较,其曲线特征基本一致.说明该模型有一定的合理性.

基于半导体纳米颗粒/氧化还原类染料可逆光致变色体系的研究进展

光作用作为刺激源具有非直接接触、远程控制、快捷等突出优点,使得可逆光致变色材料在信息存储、显示器件和智能窗户等领域有着广泛的应用前景。然而,大多数传统可逆光致变色材料普遍存在热稳定性差、循环寿命低、变色速度慢等问题,严重制约了其在相关领域的发展。近年来,基于半导体纳米颗粒/氧化还原类染料可逆光致变色体系由于将半导体纳米颗粒优异的光催化还原性能和氧化还原类染料独特的变色性质结合于一体,表现出优异的可逆光致变色性能,受到广泛关注,并在无墨“光打印”可擦重写纸、可视化氧气指示器及智能变色织物等领域展现出巨大的应用价值。从半导体纳米颗粒/染料可逆光致变色设计原理、性能和机理研究进展及应用领域等方面进行综述,并提出未来研究展望。

半导体纳米颗粒载流子的超快弛豫过程

分析了纳米颗粒的能级结构,建立了载流子弛豫的简化模型,运用数值模拟方法讨论了激发密度、表面态密度及俘获态电子的弛豫率对弛豫过程的影响。讨论结果表明,激发密度的增大及表面态的减少都会导致表面态上电子的饱和,使导带上出现电子的积累,导带电子寿命增大;深俘获态电子的弛豫是影响材料响应速度的主要因素。应用此模型对近红外泵浦探测实验的结果进行分析,表明模型可望在实验结果分析上得到应用。

镶嵌GaAs纳米颗粒的量子尺寸效应

镶嵌ＧａＡｓ纳米颗粒的量子尺寸效应戚震中（上海交通大学信息存储研究中心）镶嵌在介质中的纳米半导体颗粒因受到周围介质势垒的限域作用，导致量子限域效应，与其载流子有关的光吸收行为发生改变。半导体颗粒的直径为纳米量级时，限域效应将使能带分裂为分立的能级。采...

半导体/绝缘体复合材料的介电特性和光谱特性

研究了半导体/绝缘体复合材料的介电特性和光学吸收特性随外加场频率和半导体颗粒形状的变化规律,利用有效介质近似理论(EMA)进行数值模拟,当外加场的频率发生改变时,复合材料的介电特性有一个峰值存在,随半导体颗粒体积分数的增大,峰值也随之增强;而复合材料的光谱特性随频率的变化有两个峰值存在,随着半导体纳米颗粒的体积分数及形状的改变,相应的峰值也发生改变。

Ga As纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达 1 9.0 %.光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2 分子的形式存在于复合薄膜中.

ac方法高Tc超导体晶间和晶内临界电流密度的确定

文中基于临界态Bean模型，给出了用交流磁测量结果确定高Tc颗粒超导体晶间和晶内Bean参数Jc的方法。并对（BiPb）2Sr2Ca2CuOy体材样品做了测量和计算。