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题名导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶
被引量:5
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作者
练小正
张胜男
程红娟
齐海涛
金雷
徐永宽
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期622-626,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51702297)
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文摘
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。(100)面β-Ga2O3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。
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关键词
β-Ga2O3单晶
宽带隙半导体
导模(efg)法
晶体生长
透过率
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Keywords
β-Ga2O3 single crystal
wide-bandgap semiconductor
edge-defined film-fed growth (efg) method
crystal growth
transmittance
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分类号
TN304.053
[电子电信—物理电子学]
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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