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导电原子力显微镜对蛋白质在分子水平上的电学表征 被引量:9
1
作者 赵健伟 王楠 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期751-753,共3页
The electric and dielectric properties of metalloprotein, azurin, were studied at real molecular level by using conducting atomic force microscopy(C-AFM). Under a force lower than 2 nN, dielectric breakdown was observ... The electric and dielectric properties of metalloprotein, azurin, were studied at real molecular level by using conducting atomic force microscopy(C-AFM). Under a force lower than 2 nN, dielectric breakdown was observed. When reliable electrical contact between electrodes and protein is achieved under a force greater than 5 nN, well-behaved current-voltage characters are revealed, and dependent on the force load. 展开更多
关键词 导电原子力显微镜 蛋白质 介电强度
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导电原子力显微镜在介质薄膜电流图像检测中产生的假像
2
作者 刘东平 《大连民族学院学报》 CAS 2008年第1期43-46,共4页
对导电原子力显微镜在介质层电流图像检测中存在的假像进行了研究。发现这种假像归因于导电探针针尖较大的直径,其大小与被检测样品表面的缺陷点、漏洞、沟穴大小相关。研究表明,为提高图像分辨率,避免检测过程中存在的假像,需要使用具... 对导电原子力显微镜在介质层电流图像检测中存在的假像进行了研究。发现这种假像归因于导电探针针尖较大的直径,其大小与被检测样品表面的缺陷点、漏洞、沟穴大小相关。研究表明,为提高图像分辨率,避免检测过程中存在的假像,需要使用具有纳米直径针尖的超尖导电探针。 展开更多
关键词 导电原子力显微镜 导电探针尖 纳米压痕 介质薄膜
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不同扫描速度下的导电原子力显微镜电流测试研究
3
作者 刘潇枭 肖晨 +2 位作者 胡罗成 金晨宁 余丙军 《中国科技论文》 北大核心 2017年第16期1881-1885,共5页
导电原子力显微镜(C-AFM)可在微观尺度下同时检测表征材料表面形貌和导电状态,是重要的材料表面表征设备。针对C-AFM测试过程中电流信号失真的问题,研究了其产生的规律,并提出了解决的措施。首先使用原位纳米力学测试系统在砷化镓(GaAs... 导电原子力显微镜(C-AFM)可在微观尺度下同时检测表征材料表面形貌和导电状态,是重要的材料表面表征设备。针对C-AFM测试过程中电流信号失真的问题,研究了其产生的规律,并提出了解决的措施。首先使用原位纳米力学测试系统在砷化镓(GaAs)表面制作出纳米划痕,再利用C-AFM对GaAs表面的划痕进行形貌和电流信号检测,并与GaAs表面做以对比。实验结果表明:在低偏压未导通的情况下,针尖的扫描方向和扫描速度对电流信号的检测有显著影响,当针尖垂直于划痕扫描时,可得到起伏的电流信号,而平行于划痕方向扫描时,则无明显的电流信号;划痕处电流信号的产生与C-AFM的扫描速度大小有关,速度越大,电流波动越明显;降低速度可有效避免这种形貌起伏(如表面沟槽)所致的电流波动的产生。分析表明,这种电流波动的产生与C-AFM探针悬臂梁在针尖经过材料表面的剧烈起伏时所产生的位移电流有关。研究结果提供了C-AFM扫描过程中避免错误电流信号干扰的方法。 展开更多
关键词 精密仪器及机械 导电原子力显微镜 砷化镓 划痕 电流信号
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基于原子力显微镜的四电极微探针局域电导率测量技术 被引量:1
4
作者 居冰峰 巨阳 坂真澄 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期187-191,共5页
开发了基于原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)的四电极微探针局域电导率测量技术。四电极AFM探针最小的电极间距为300nm,安装了这种新型四电极微探针的AFM系统既保持表面微观形貌测量能力,又可以在实施表面形貌扫描的同时测定... 开发了基于原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)的四电极微探针局域电导率测量技术。四电极AFM探针最小的电极间距为300nm,安装了这种新型四电极微探针的AFM系统既保持表面微观形貌测量能力,又可以在实施表面形貌扫描的同时测定局域电导率。利用该技术精确测量了厚度为6.0μm的铝薄膜和厚度为350nm的透明导电氧化铟薄膜(Indium tin oxide,ITO)的局域电导率,试验结果证明基于AFM的四电极微探针技术在亚微米局域电导率测量方面的能力。 展开更多
关键词 局域电导率 四电极方法 原子力显微镜 导电薄膜
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基于原子力显微镜的石墨烯表面图案化摩擦调控 被引量:1
5
作者 张玉响 彭倚天 郎浩杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期136-144,共9页
摩擦可调控的石墨烯作为固体润滑剂在微/纳机电系统中具有巨大的应用潜力.本文采用导电原子力显微镜对附着在Au/SiO2/Si基底上的石墨烯进行氧化刻蚀,比较了在不同刻蚀参数下石墨烯纳米图案的摩擦性能,并且通过开尔文力显微镜分析了不同... 摩擦可调控的石墨烯作为固体润滑剂在微/纳机电系统中具有巨大的应用潜力.本文采用导电原子力显微镜对附着在Au/SiO2/Si基底上的石墨烯进行氧化刻蚀,比较了在不同刻蚀参数下石墨烯纳米图案的摩擦性能,并且通过开尔文力显微镜分析了不同刻蚀参数对纳米图案氧化程度的影响.结果表明:施加负偏压可以在石墨烯表面制造出稳定可调的氧化点、线等纳米级图案,氧化点的直径和氧化线的宽度都随着电压的增大而增大;增加石墨烯的厚度可以提高纳米图案的连续性和均匀性.摩擦力随着针尖电压的增大而增大,这是由于电压增大了弯液面力和静电力.利用这些加工的纳米级图案可以精确地调控石墨烯表面的摩擦大小.通过导电原子力显微镜刻蚀技术实现石墨烯表面纳米摩擦特性的可控,为石墨烯在微/纳米机电系统中的摩擦行为研究和具有图案表面的纳米器件的制备提供了新的思路和方法. 展开更多
关键词 石墨烯 氧化刻蚀 纳米摩擦 导电原子力显微镜
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271用传导原子力显微镜对超薄SiO2薄膜的电传导进行纳米级观察
6
《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第6期66-66,共1页
关键词 导电原子力显微镜 MOS结构 电传导 超薄SiO2薄膜 纳米级观察
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碳纳米管网络导电特征的导电型原子力显微镜研究
7
作者 赵华波 李震 +4 位作者 李睿 张朝晖 张岩 刘宇 李彦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期8473-8477,共5页
利用导电型原子力显微镜对大范围碳纳米管(CNT)网络的导电性能进行成像观察.研究发现:在几十微米的成像范围内,每根CNT本身的电阻远小于CNT之间的接触电阻,以致于在电压偏置的网络中不同的CNT呈现电位不同的等位体;CNT的导电性能虽不因... 利用导电型原子力显微镜对大范围碳纳米管(CNT)网络的导电性能进行成像观察.研究发现:在几十微米的成像范围内,每根CNT本身的电阻远小于CNT之间的接触电阻,以致于在电压偏置的网络中不同的CNT呈现电位不同的等位体;CNT的导电性能虽不因与其他CNT的交叠接触而改变,但是如果缠绕成束,则半导体性CNT趋于呈现金属性CNT的导电特征. 展开更多
关键词 导电原子力显微镜 碳纳米管网络 碳管纳米电导
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导电原子力显微镜及其应用
8
作者 郭云 杨得全 《物理》 CAS 1999年第11期691-696,共6页
简要介绍了导电原子力显微镜的产生和应用的历史,讨论了导电原子力显笛镜的特点、工作原理以及工作方式,对近几年来利用导电原子和实际应用的情况进行了介绍。
关键词 原子力显微镜 导电针尖 应用 发展
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氩气压强对PET基磁控溅射银膜结构及导电性能的影响 被引量:15
9
作者 洪剑寒 王鸿博 魏取福 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F11期83-85,共3页
在室温条件下,采用磁控溅射法在PET纺粘非织造布上制备了纳米Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)表征磁控溅射真空室压强对纳米Ag薄膜结晶状态、粒径的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜导电性能之间的关系。实验结果表明:在该实验范围内溅射速率... 在室温条件下,采用磁控溅射法在PET纺粘非织造布上制备了纳米Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)表征磁控溅射真空室压强对纳米Ag薄膜结晶状态、粒径的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜导电性能之间的关系。实验结果表明:在该实验范围内溅射速率随压强的增大先增大后减小;薄膜方块电阻的变化规律与溅射速率的变化规律一致;薄膜颗粒直径随压强的增大先增大后减小,但在压强大于1.5Pa时,薄膜颗粒直径随压强变化未呈现明显的变化规律。 展开更多
关键词 磁控溅射 薄膜 原子力显微镜 纳米结构 导电性能
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PET基纳米结构Ag薄膜结构及导电性能 被引量:6
10
作者 王鸿博 赵晓燕 +2 位作者 洪剑寒 杜矗 金昭 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期52-55,共4页
在室温条件下,采用磁控溅射法在PET纺粘非织造布上制备了50 nm厚的纳米结构Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)分析溅射真空室压强对纳米结构Ag薄膜结晶状态、粒径的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜导电性能之间的关系。实验结果表明:溅射速率... 在室温条件下,采用磁控溅射法在PET纺粘非织造布上制备了50 nm厚的纳米结构Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)分析溅射真空室压强对纳米结构Ag薄膜结晶状态、粒径的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜导电性能之间的关系。实验结果表明:溅射速率随着压强的增大先增大后减小;薄膜方块电阻的变化规律和溅射速率的变化规律一致;薄膜颗粒直径随着压强的增大先增大后减小,但在压强大于1.5 Pa时,薄膜颗粒直径随压强变化未呈现明显的变化规律。 展开更多
关键词 磁控溅射 薄膜 原子力显微镜 纳米结构 导电性能
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沉积铝纳米结构薄膜非织造布的制备和导电性 被引量:12
11
作者 邓炳耀 晏雄 魏取福 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期44-47,共4页
采用磁控溅射技术在涤纶纺粘非织造布表面制备了铝纳米结构薄膜。运用扫描电镜和原子力显微镜对溅镀后的非织造布表面形貌进行了分析,并对其导电特性进行了测试。结果表明经过溅镀的非织造布仍保持良好的纤维网络结构和孔隙特征;随着沉... 采用磁控溅射技术在涤纶纺粘非织造布表面制备了铝纳米结构薄膜。运用扫描电镜和原子力显微镜对溅镀后的非织造布表面形貌进行了分析,并对其导电特性进行了测试。结果表明经过溅镀的非织造布仍保持良好的纤维网络结构和孔隙特征;随着沉积时间的延长,非织造布表面铝纳米结构薄膜的致密性、均匀性越来越好,并呈连续覆盖纤维表面的状态,导电性能逐渐提高;当镀层厚度达到100nm时,非织造布电阻为4~6Ω/cm,导电性达到最好。 展开更多
关键词 磁控溅射 纳米结构 原子力显微镜 导电 纺粘非织造布
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用AFM导电探针在n-Si(111)表面进行纳米加工的机理研究 被引量:1
12
作者 朱守星 丁建宁 +3 位作者 范真 李长生 蔡兰 杨继昌 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期202-205,共4页
本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法 ,重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态 ,周围大气状况 ,所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明 ,针尖... 本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法 ,重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态 ,周围大气状况 ,所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明 ,针尖和样品之间发生的是场致电子发射而非热电子发射 ,电流热效应增强粒子的扩散能力 ,提高了电化学反应速度。 展开更多
关键词 原子力显微镜 AFM 导电探针 纳米加工 表面修饰 纳米技术 场致电子发射 粒子扩散 阳极氧化扩散
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原子力显微镜观测并切断在Si表面拉直的DNA分子 被引量:2
13
作者 李辉 韩宝善 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期682-685,共4页
DNA具有稳定的线性结构和一定的导电性能, 因而有可能作为纳米导线来构成纳米器件. 为此, 人们已经采用很多方法尝试以DNA为基础单元构成纳米图型. 用原子力显微镜观察自由液流法在Si表面拉直的l-DNA分子, 观察到加二次液流后l-DNA 形... DNA具有稳定的线性结构和一定的导电性能, 因而有可能作为纳米导线来构成纳米器件. 为此, 人们已经采用很多方法尝试以DNA为基础单元构成纳米图型. 用原子力显微镜观察自由液流法在Si表面拉直的l-DNA分子, 观察到加二次液流后l-DNA 形成的悬链线状结构和交叉的DNA网络, 并成功地用原子力显微镜针尖切断在Si表面拉直的l-DNA分子. 展开更多
关键词 λ—DNA 悬链线状结构 原子力显微镜 导电性能 纳米图型 分子切断
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基于AFM的不导电金属铟薄膜的表面微观特征分析
14
作者 林晶 董静 +2 位作者 钱锋 王新华 周珂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期33-37,共5页
利用电子束蒸发镀膜方法在PAMM上制备了金属铟薄膜,通过方块电阻测量和原子力显微镜(AFM)表面形貌的分析,结果表明:铟薄膜的电阻值随着薄膜生长厚度增加而减小;薄膜生长初始阶段基体表面形成了岛状不连续膜,表面粗糙度随膜厚增加而增加... 利用电子束蒸发镀膜方法在PAMM上制备了金属铟薄膜,通过方块电阻测量和原子力显微镜(AFM)表面形貌的分析,结果表明:铟薄膜的电阻值随着薄膜生长厚度增加而减小;薄膜生长初始阶段基体表面形成了岛状不连续膜,表面粗糙度随膜厚增加而增加,此时薄膜不导电;当膜层厚度生长到120 nm时,薄膜形成了下层连续上层为小孔洞的结构,表面粗糙度在此厚度附近降低较明显;随着薄膜继续生长,薄膜表面无论是水平方向还是垂直方向,岛与岛相连形成十分光滑的膜层,此时薄膜电阻迅速降低到3Ω,薄膜导通。 展开更多
关键词 铟薄膜 导电薄膜 电阻 原子力显微镜 表面形貌
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半金属铋薄膜导电特性和粗糙度的研究 被引量:4
15
作者 徐建峰 张建华 +2 位作者 李海洋 何丕模 鲍世宁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期26-29,共4页
本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜 ,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系 ,并用原子力显微镜 (AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系。生长初始阶段 ,薄膜先形成孤立的三维小岛 (典型高度 1nm ,... 本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜 ,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系 ,并用原子力显微镜 (AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系。生长初始阶段 ,薄膜先形成孤立的三维小岛 (典型高度 1nm ,直径 10nm ,间距 10nm) ,随后互相聚结形成网状结构 ,薄膜不导通 (R≥ 2 0MΩ) ,粗糙度随膜厚增加而减小。当等效厚度d =1.74nm时 ,薄膜导通 (R≤ 13MΩ) ,薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构 ,粗糙度在此厚度附近达到最小值然后又增大。随着薄膜继续生长 ,连续状结构的厚度增加 ,薄膜电阻随之迅速减小 ,当d≥ 2 .4nm时薄膜电阻趋近于稳定值 2kΩ。 展开更多
关键词 薄膜生长 连续 薄膜电阻 最小值 导电特性 粗糙度 定值 导通 原子力显微镜(AFM) 真空镀膜
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单晶CsPbBr_(3)纳米片阻变存储器的制备和性能研究
16
作者 李东汶 杨一鸣 《光源与照明》 2023年第4期62-67,共6页
基于卤化物钙钛矿材料的阻变存储器(RRAM)作为下一代非易失性存储器,在微型化进程中易受到器件稳定性的影响。因此,提高器件的稳定性是实现RRAM应用的前提。文章使用单晶CsPbBr3纳米片作为阻变层,导电原子力显微镜(CAFM)针尖作为电极,... 基于卤化物钙钛矿材料的阻变存储器(RRAM)作为下一代非易失性存储器,在微型化进程中易受到器件稳定性的影响。因此,提高器件的稳定性是实现RRAM应用的前提。文章使用单晶CsPbBr3纳米片作为阻变层,导电原子力显微镜(CAFM)针尖作为电极,在实验室设计了开关比超10^(4)的阻变存储器。实验发现,多次循环测试可使器件由易失性转变为非易失性。此外,通过仿真建立了纳米片中基于导电细丝机制的RRAM模型,并仿真了不同几何形貌导电细丝对器件稳定性的影响。结果表明,不同几何形貌的导电细丝会影响器件内部电场分布,在正、负偏压下表现出不同的低阻态,从而影响整个器件的稳定性。 展开更多
关键词 阻变存储器 CsPbBr_(3) 铯铅溴 导电原子力显微镜 纳米器件
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聚苯胺纳米线电导率的尺寸效应 被引量:5
17
作者 齐丽 周剑章 +3 位作者 翁少煌 蔡成东 姚光华 林仲华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期562-564,共3页
The study of size effect of conductivity of conducting polymer nanowires can be significant not only in the instruction of fabrication of the devices with nanodimension but also in basic research of inherence of nanom... The study of size effect of conductivity of conducting polymer nanowires can be significant not only in the instruction of fabrication of the devices with nanodimension but also in basic research of inherence of nanomaterials. PANI nanowires was fabricated in AAO templates by potentiostatic method. A new strategy of chemical modification of AAO template was introduced to prepare nanowires with smaller diameter. FTIR and contact angle measurements were used to characterize the modification. Tunneling Electron Microscopy results showed that the smaller PANI nanowires in diameter can be obtained in surfactant modified AAO templates. Conductivity of single PANI nanowire had been measured by Conductive Atomic Force Microscopy. The results displayed that the conductivity of PANI nanowire increase while the decrease of the diameter of PANI nanowires, which was called size effect of conductivity of PANI nanowires. The size effect had been attributed to order polymer chains orientation of PANI nanowire, which had been confirmed by electron diffraction diagrams. 展开更多
关键词 阴离子表面活性剂 聚苯胺纳米线 导电原子力显微镜 电导率
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He离子辐照碳化钨样品的实验研究 被引量:1
18
作者 杨杞 刘东平 +2 位作者 范红玉 刘纯洁 袁凯 《大连民族学院学报》 CAS 2014年第3期289-292,共4页
采用能量为100 keV的He离子辐照多晶碳化钨样品,He离子的辐照剂量为1.0×1017ions·cm-2,辐照温度从室温变化到600℃。通过SRIM软件模拟了离子的注入深度,利用导电式原子力显微镜(CAFM)分析了多晶碳化钨样品在He离子辐照条件下... 采用能量为100 keV的He离子辐照多晶碳化钨样品,He离子的辐照剂量为1.0×1017ions·cm-2,辐照温度从室温变化到600℃。通过SRIM软件模拟了离子的注入深度,利用导电式原子力显微镜(CAFM)分析了多晶碳化钨样品在He离子辐照条件下微观结构的演化。结果表明,He离子辐照会导致多晶碳化钨样品形成He泡,从而使样品表面发生肿胀。 展开更多
关键词 辐照损伤 导电原子力显微镜(cafm) He泡
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聚苯胺纳米点阵列的制备和库仑台阶现象 被引量:2
19
作者 翁少煌 周剑章 +4 位作者 文莉 齐丽 蔡成东 姚光华 林仲华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2179-2181,共3页
PANI nanodots array was fabricated in AAO template with potentiostatic method in a short time.The topographic image of PANI nanodots array was characterized by scanning electron microscopy(SEM) and atomic force micros... PANI nanodots array was fabricated in AAO template with potentiostatic method in a short time.The topographic image of PANI nanodots array was characterized by scanning electron microscopy(SEM) and atomic force microscopy(AFM).The I-V characteristics of conducting PANI nanodots array was measured with conducting atomic force microscope(C-AFM) in atmosphere at room temperature.Coulomb staircase phenomena was observed in the I-V curves. 展开更多
关键词 聚苯胺(PANI) 纳米点 库仑台阶 导电原子力显微镜(C-AFM)
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磁控溅射工艺参数对涤纶织物表面沉积铜膜性能的影响 被引量:10
20
作者 孟灵灵 魏取福 +1 位作者 黄新民 许凤凤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期54-57,69,共5页
在室温条件下采用射频磁控溅射法在涤纶平纹机织物表面沉积纳米Cu薄膜,借助原子力显微镜(AFM)观察镀膜前后样品表面变化。通过分别改变镀膜时间、溅射功率和气体压强,研究其对样品透光性和导电性的影响。实验结果表明,经Cu镀层处理的涤... 在室温条件下采用射频磁控溅射法在涤纶平纹机织物表面沉积纳米Cu薄膜,借助原子力显微镜(AFM)观察镀膜前后样品表面变化。通过分别改变镀膜时间、溅射功率和气体压强,研究其对样品透光性和导电性的影响。实验结果表明,经Cu镀层处理的涤纶平纹织物对紫外光和可见光的吸收能力明显优于原样。溅射压强增加,透光性能增强,铜膜方块电阻增加,导电性能减弱;镀膜时间延长和溅射功率增加,样品透射率降低,屏蔽紫外线和可见光效果明显,在溅射时间接近15min和溅射功率增加到120W后,样品屏蔽效果不明显,铜膜方块电阻随溅射功率增加而减小,导电性能增强。 展开更多
关键词 射频磁控溅射纳米铜膜原子力显微镜透光性导电
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