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透明导电半导体ZnO膜的研究
被引量:
7
1
作者
蒋向东
张怀武
黄祥成
《应用光学》
CAS
CSCD
2002年第2期35-38,共4页
本文采用独特的电子束蒸镀方法,在光学镀膜机上,以 ZnO+3%Al2O3和 ZnO为膜料.k9光学玻璃为衬底,制备出ZnO 膜。膜层为多晶膜,可见光透过率为T=70-90%,电阻率p=1×10-5Ω·m,方电阻为...
本文采用独特的电子束蒸镀方法,在光学镀膜机上,以 ZnO+3%Al2O3和 ZnO为膜料.k9光学玻璃为衬底,制备出ZnO 膜。膜层为多晶膜,可见光透过率为T=70-90%,电阻率p=1×10-5Ω·m,方电阻为 R =150±50±50Ω/ ,膜机械强度超过国标单层标准,找到实用最佳工艺条件。
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关键词
ZnO膜
透明
导电
性
电子束蒸镀方法
透明
导电氧化物半导体
薄膜
氧化
锌薄膜
下载PDF
职称材料
ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究
被引量:
6
2
作者
裴志亮
孙超
+4 位作者
关德慧
谭明晖
肖金泉
黄容芳
闻立时
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
北大核心
2001年第4期392-397,共6页
用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al_2O_3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵...
用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al_2O_3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(~5×10^(-4)Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率>80%;在近中红外光区,其反射率>60%.
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关键词
掺杂光学性能
散射机制
氧化
锌:铝薄膜
导电氧化物半导体
薄膜
电阻率
透射率
下载PDF
职称材料
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
被引量:
19
3
作者
孔伟华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期1083-1088,共6页
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒...
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
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关键词
ITO靶材
直流磁控反应溅射
毒化现象
三
氧化
二铟
二
氧化
锡
导电氧化物半导体
薄膜
制备
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职称材料
题名
透明导电半导体ZnO膜的研究
被引量:
7
1
作者
蒋向东
张怀武
黄祥成
机构
电子科技大学信息材料工程学院
西安应用光学研究所
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
2002年第2期35-38,共4页
文摘
本文采用独特的电子束蒸镀方法,在光学镀膜机上,以 ZnO+3%Al2O3和 ZnO为膜料.k9光学玻璃为衬底,制备出ZnO 膜。膜层为多晶膜,可见光透过率为T=70-90%,电阻率p=1×10-5Ω·m,方电阻为 R =150±50±50Ω/ ,膜机械强度超过国标单层标准,找到实用最佳工艺条件。
关键词
ZnO膜
透明
导电
性
电子束蒸镀方法
透明
导电氧化物半导体
薄膜
氧化
锌薄膜
Keywords
thin film
ZnO
semi -conductor
transparent and conductive
分类号
O484 [理学—固体物理]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究
被引量:
6
2
作者
裴志亮
孙超
关德慧
谭明晖
肖金泉
黄容芳
闻立时
机构
中国科学院金属研究所
出处
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
北大核心
2001年第4期392-397,共6页
基金
沈阳市科技攻关资助项目
复旦大学应用表面物理国家重点实验室部分资助项目
文摘
用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al_2O_3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(~5×10^(-4)Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率>80%;在近中红外光区,其反射率>60%.
关键词
掺杂光学性能
散射机制
氧化
锌:铝薄膜
导电氧化物半导体
薄膜
电阻率
透射率
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
被引量:
19
3
作者
孔伟华
机构
西北稀有金属材料研究院宁夏特种材料重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期1083-1088,共6页
文摘
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.
关键词
ITO靶材
直流磁控反应溅射
毒化现象
三
氧化
二铟
二
氧化
锡
导电氧化物半导体
薄膜
制备
Keywords
DC-Magnetron sputtering
ITO target
poisoning phenomenon
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
透明导电半导体ZnO膜的研究
蒋向东
张怀武
黄祥成
《应用光学》
CAS
CSCD
2002
7
下载PDF
职称材料
2
ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究
裴志亮
孙超
关德慧
谭明晖
肖金泉
黄容芳
闻立时
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》
北大核心
2001
6
下载PDF
职称材料
3
ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象
孔伟华
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
19
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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