导电玻璃ITO上有机薄膜的受激发射

本文以有机薄膜Perylene:PS为增益介质，在透明导电薄膜ITO衬底上，实现了在光泵浦条件下光增益放大。观察到的放大自发发射峰位于478nm，光谱半高全宽为7nm。

ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究

为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。

基于机器视觉的ITO导电玻璃缺陷检测系统设计

针对传统人工检测ITO导电玻璃缺陷时存在错检、漏检、效率低等问题,提出一种基于机器视觉的ITO导电玻璃缺陷检测方法。首先,提出了一种基于线扫描相机和多光源同时曝光合成图像的成像方案,使表面缺陷检测项与易误干扰项形成不同特征;其次,采用Blob分析方法对明暗场图像分类处理实现对划痕、气泡、划伤等表面缺陷的检测;最后,利用C#Winform实现具备友好的人机操作界面的检测软件系统。实验结果表明,系统综合漏检率为0.25%、误判率为4.07%,对单片玻璃的检测时间为2.3s,同传统人工目检方式相比,系统检测具有较高的效率和正确率,具备较高的实用价值。

除油和蚀刻对ITO导电玻璃化学镀镍的影响

实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污，用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力，以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍。研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响，确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数。结果表明，用碱性化学除油液在25～35℃，除油6min，用磷酸溶液在40℃左右，蚀刻3min的条件下进行前处理，所得镀层覆盖率高、选择性优，与基体的结合力良好。

ITO膜透明导电玻璃的特性、制备和应用

主要介绍了 ITO膜透明导电玻璃的主要特性、结构、导电机理、半导化机理、制备方法 。

ITO透明导电膜玻璃生产及应用

简要地介绍了ITO透明导电膜玻璃生产及其应用领域和市场 。

基于线阵CCD扫描技术的ITO导电玻璃指标检测技术研究

应用CCD检测技术可实现非接触在线实时检测。对幅面尺寸较小,但尺寸精度、弯曲度和透光率要求较高的手机、数码相机等液晶显示屏的玻璃基板的在线检测来说是一个很好的解决方案。此外,线阵CCD扫描技术在检测和监测物体表面点状缺陷有着自身潜在的优势。讨论了玻璃基板的质量检测指标,研究了应用几何光学的原理实现玻璃基板厚度和弯曲度的CCD检测方法。重点讨论了应用Marr算子对边缘检测进行精确定位的方法,为玻璃性能的主要测量参数:长度、宽度、厚度及玻璃体线状缺陷等检测指标的高精度检测提供了保障。

ITO透明导电玻璃表面质变及石墨烯改性研究

ITO导电玻璃因导电率高、可见光透过率高等优点,在光伏太阳能电池、电致变色玻璃等领域广泛应用。ITO具有很强的吸水性,会因吸收空气中水分等产生化学反应而表面发生变质。文章考察了ITO导电玻璃化学稳定性,结果表明在水环境下化学稳定性下降,透光率和导电性能均降低。采用静电喷涂法将石墨烯配制的浆料在ITO导电玻璃基体上沉积石墨烯膜制备石墨烯/ITO复合导电玻璃,与纯ITO相比,复合导电玻璃的导电性能、耐水性和耐酸性得到提升。

基于ITO的Co-ZnO电极的制备及对邻苯二酚的检测评价

采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-ZnO电极对邻苯二酚具有非常明显的电催化活性,通过测试分析得到其线性范围为0.01~10 mmol/L、灵敏度为1429.67 mA/(mM·cm^(2))、检出限为0.87μmol/L。通过干扰试验可知,Co-ZnO电极对其有良好的选择性,且电极的重现性良好。

氧化锌在ITO导电玻璃上电沉积生长过程研究

采用恒电流电解法,以0.1mol/LNH4NO3、0.01mol/LZn(CH3COO)2水溶液为电解液,成功将ZnO电沉积于ITO导电玻璃的表面。利用扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO晶核在ITO导电玻璃表面上的生长过程,对其生长取向、排列方式及微观形貌等方面发生的一系列变化的规律进行了研究和讨论。利用X射线衍射分析(XRD)研究了电沉积时间对ZnO结晶性的影响。结果表明:ZnO在ITO导电玻璃上的电沉积过程,经历了晶核生成、增长成片、片状组合、定向排列、团聚成花、团聚成块等连续过程;随着沉积时间的增长,沉积厚度增加,使得ZnO晶体的结晶性变差。

ITO导电玻璃及其在平板显示器中的应用

简单介绍了ITO导电玻璃的制备,及其在多种平板显示器中的应用,并相应给出了其基本特性和要求。

关于ITO透明导电膜玻璃生产及应用的分析

在高新技术领域,ITO透明导电膜玻璃得到了较好的应用。基于这种认识,本文对ITO玻璃的生产工艺技术发展情况进行了分析,并对其应用前景展开了探讨,从而为关注这一话题的人们提供参考。

镀金ITO导电玻璃的制备与二次硫醇修饰的性能研究

采用循环伏安法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面上电沉积金纳米颗粒,再用十八硫醇进行二次修饰,得到硫醇修饰的ITO镀金材料。随后对此材料进行扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、接触角测定、紫外扫描等表征。根据XRD结果显示金粒子已成功沉积在ITO玻璃上且分布均匀;考察电沉积圈数(20~200段)对样品接触角的影响,发现140段沉积效果最好,接触角由55.52°增加到128.27°。修饰前后ITO样品的性能不同,在实际生活中可用于自清洁等方面。

台玻ITO导电玻璃项目投产,助力新区新旧动能转换

5月17日,台玻（青岛）光电科技有限公司ITO导电玻璃项目正式投产,标志着西海岸新区在完善电子信息产业链方面又迈进了一步,也是西海岸新区大力推动企业转型升级,进行新旧动能转换的又一重大成果.

ITO导电玻璃产业的现状与发展

经过20多年的发展,中国的LCD产业从无到有,从小到大,已经具有相当的规模。据不完全统计,不分所有制形式的各类LCD工厂已达70家之多,其月份生产能力已经突破300万片(以14”×14”尺寸计)。与LCD产业相关的ITO导电玻璃产业,10年来也得到了长足发展,其总的月份生产能力已经突破350万片。

掺锡三氧化二铟导电玻璃双工作电极薄层光透电化学池的设计

本文报道了ITO导电玻璃双工作电极薄层光透电化学池的设计。这种薄层池具有操作简便,成本低廉的特点,其突出优点在于工作电极的边际效应因采用辅助工作电极而得以明显消除。以Fe(CN)_6^(3-)/(4-)~考察了该池的电化学和光谱吸收响应特性。

基于ITO的Co薄膜制备及对邻苯二酚的检测

邻苯二酚是对环境有害的毒性污染物,实验采用电沉积方法在ITO导电玻璃表面制备Co电化学传感器,将其用于邻苯二酚的分析检测。首先通过正交实验确定了Co电极最佳制备工艺条件,然后结合SEM、EDS和XRD分析确定了其表面形貌、元素组成和晶体结构,并采用循环伏安法和计时电流法对其进行了电化学分析。结果表明:Co盐浓度10 g·L^(-1)、沉积电流0.1 A、沉积温度20℃、沉积时间10 min为制备Co电极的最佳制备工艺条件,电化学分析结果表明Co电极对邻苯二酚具有电催化活性,得到检测邻苯二酚的线性范围0.001 mM~0.2 mM、灵敏度1385.81 mA/mM·cm^(2)和检出限1.04μM,干扰试验显示Co电极对邻苯二酚有良好的选择性。

西海岸将产高档触摸屏导电玻璃让山东不再“缺芯少面”

5月17日，投资10亿元的台玻ITO导电玻璃项目在青岛西海岸新区正式投产，主要生产用于手机、平板电脑等产品的触摸屏导电玻璃和用于博物馆橱窗等高端显示的减反射玻璃，破解了山东省制造业“缺芯少面”局面。未来，以该项目为核心，台玻集团将在青岛西海岸新区打造山东省科技水平最高、产业规模最大，覆盖研发、设计、生产等上下游环节的光电玻璃材料产业基地。

氯化甲基汞在ITO电极上的电化学行为及其降解

以氯化甲基汞为代表，对其在ITO导电玻璃上的电化学行为及其降解方法进行探讨。研究了在ITO导电玻璃上氯化甲基汞在不同条件下的降解过程。实验考察了不同扫描速率、支持电解液、溶液酸碱性、外加电压、降解时间等影响因素，结果表明在扫描速率为200mV、外加电压为0．6V、降解时间为30min时，降解率最大的。在上述条件下，发现当氯化甲基汞初始浓度在0～280mmol／L内时，氧化峰电流大小与其成线性关系，线性系数为0．9937。

ITO 膜发展现状及工艺技术分析

重点阐述氧化铟锡（ＩＴＯ）导电玻璃的发展状况，分析介绍了研制的自动连续镀膜生产线的各种工艺、技术、设备，并总结整套设备所达到的水平。