导电粉的市场及研究开发现状

介绍了导电粉的特点、应用领域、市场现状及国内生产现状。导电粉尤其是浅色导电粉产品的市场潜力巨大,应加大开发力度。

Al掺杂纳米氧化锌导电粉的性能与结构

以Zn(NO3)2.6H2O,Al(NO3)3.9H2O,尿素为原料,采用均相沉淀法,制备出碱式碳酸锌粉末,之后将前驱体在氢气气氛下煅烧,制得Al掺杂氧化锌导电粉。利用SEM,TGA,XPS和XRD等分析手段对材料性能进行表征,研究了Al掺杂氧化锌导电性能的影响。结果表明:随着Al 3+掺杂量的增大,粉体体积电阻率先降低后升高,Al 3+掺杂含量在1.5%(摩尔分数)时电阻率最低,为1.05×105Ω.cm。掺杂后的ZnO为六方纤锌矿结构,颗粒呈类椭球形,粒度分布窄,导电性能明显提高。

SnO_2导电粉的研制及性能

用两种方法制备了阻值可调的SnO_2导电粉,并对灼烧温度、杂质以及影响导电粉阻值的因素进行了分析讨论。

锑掺杂氧化锡包覆氧化钛浅色导电粉的过程与模型

为了掌握沉淀反应包覆掺锑氧化锡膜形态和工艺参数对导电粉电阻率的影响规律,本文中详细研究了采用沉淀法在氧化钛表面包覆掺锑氧化锡的过程。通过采用透射电镜观察包覆产物结构,并对不同pH值下的包覆产物进行了光电子能谱分析。结合氧化钛和氧化锡水溶液的Zeta电位,提出了包覆过程和模型。结果表明:包覆过程是先均相形核,然后锡溶胶靠静电引力与范德华力共同作用吸附在氧化钛表面;当沉淀pH=2时,氧化锡以直径为5nm胶粒单层密排在氧化钛表面,此时导电粉具有最佳导电性。

叶腊石基锑掺杂二氧化锡复合导电粉体的制备及电性能

通过化学共沉淀法制备了以叶腊石微粉为基体、表面包覆锑掺杂二氧化锡的复合导电粉体,采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分别对该复合导电粉体晶体结构和微观形貌进行表征,并进一步研究了各反应条件对复合粉体体积电阻率的影响。实验结果表明,当水解温度60℃、水解pH值为1、SnCl4加入量100%、Sb掺杂量16%、600℃煅烧1 h时,可得到体积电阻率为26.cm的复合导电粉体。该复合导电粉体可作为填料广泛应用于导电塑料、橡胶等复合导电产品,同时为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路。

基体诱导法制备碳纳米管／云母复合导电粉

基体诱导法制备碳纳米管（CNT）／云母复合导电粉，即用聚乙烯醇（PVA）或聚丙烯酰胺（PAM）对云母进行处理，将处理后的云母与CNT分散液混合，使CNT吸附在云母表面．测试复合导电粉的体积电阻率（ρ）发现，CNT含量为1．0wt％时，CNT／云母的ρ为2．0×10^4Ω·cm，而用PVA修饰的云母制备CNT／云母，体积电阻率达到86．6Ω．cm．运用XPS、SEM对复合导电粉进行表征．结果表明当云母表面经PVA修饰后，能改善CNT在其表面的吸附和分散，使CNT／云母的体积电阻率明显降低．

蒙脱石基ATO纳米核壳结构导电粉的制备

选用蒙脱石作为基体材料,SnCl4.5H2O和SbCl3为包覆材料,采用共沉淀法制备了蒙脱石基核壳结构导电粉,并对其水解pH值、保温时间、SnCl4.5H2O/SbCl3摩尔比、SnCl4.5H2O用量、焙烧温度、水解温度等影响因素进行了研究。结果表明,制备出的导电粉电阻率为1.682×105Ω.cm,颜色为浅黄色。通过对样品进行XRD、DTA、IR及激光显微镜分析,说明蒙脱石与锡锑元素进行了很好的复合,锡主要以SnO2的金红石四方结构存在,锑没有生成新相,并且掺杂后的复合导电粉具有分散性、稳定性好等优点。

氧化锌半导电粉料的研究

以ＺｎＯ粉料为主体，添加多种金属氧化物粉料，通过混料，高温热处理，研磨过筛，测试伏安特性，探索半导化程度和添加物对电阻率的影响，得到一种ＺｎＯ半导电粉料，可用于大电机线棒防晕半导漆的填料。

纳米二氧化钛导电粉制备研究

采用化学共沉淀方法，以掺杂sb的SnO2（ATO）包覆纳米二氧化钛，制备纳米二氧化钛导电粉．研究制备备件对纳米二氧化钛体积电阻率的影响，利用SEM、XRD和XRF分析产物的表面形貌、成分与含量．实验得出较佳的制备条件为：反应温度70～80℃，SnCl4·5H2O的质量分数为60％，SbCl3的质量分数为6％，pH值为2，加料时间2．5h，煅烧时间2h，煅烧温度600℃．

金属氧化物导电粉体的研究进展

金属氧化物导电粉的制备方法及国内外研究进展,着重对氧化锡类及氧化锌类导电粉的掺杂导电机理进行了分析,并对该领域的发展前景及今后的研究趋势进行了评述。

几种浅色复合导电粉性能比较

比较了国内几种浅色复合导电粉的导静电性能、白度、粒径分布以及导电粉在环氧涂料中的分散性及制备的漆膜导静电性能稳定性。

制备工艺对ATO/TiO_2复合导电粉电导率的影响

用湿化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O、SbCl3 TiO2粉体等为原料,制备了电导率较好的ATO/TiO2复合导电粉,其体积电导率可达3.13×10-2(Ω.cm)-1,优化的工艺参数为:m(SnO2)∶m(TiO2)=25%、Sb的掺杂量m(Sb2O3)∶m(SnO2)=15%、包覆温度为60℃、pH值为2.0、搅拌速度为90 r/min、热处理煅烧温度为500℃。

纳米碳酸钙基浅色导电粉的制备及性能研究

以纳米碳酸钙为核体,用聚电解质对其表面改性后,采用均相共沉淀法制备了锡掺杂氧化铟(ITO)包覆的碳酸钙基浅色导电粉。通过改变聚电解质层数、ITO的包覆量及煅烧时间等实验条件,探究了制备纳米碳酸钙基浅色导电粉的最佳条件。用X-射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X-射线电子能谱以及粉末电阻率测试仪等对样品的结构、形貌、化学组成及电阻率等进行分析。结果表明:聚电解质层数为5层,CaCO3与ITO的质量比为6∶1,500℃煅烧4.5 h制备的粉末具有最佳的导电性能,其电阻率为3.8×103Ω·cm。

La,Pr改性ZnO导电粉的制备

为了提高ZnO的导电性,采用稀土气相扩渗法对ZnO粉体进行了La,Pr改性.采用X射线衍射分析、扫描电子显微镜、差热分析和电阻测试仪,对改性前后ZnO组成、结构及电性能的变化进行了研究.XRD测试结果表明:La扩渗后,在29.5°出现了一个与La有关的特征峰,Pr扩渗后,在30.5°出现了一个与Pr有关的特征峰,证明La,Pr已渗入ZnO粉体.SEM测试结果表明:ZnO粉体经La,Pr扩渗后晶粒明显细化,团聚现象减弱.热重分析表明:经稀土扩渗后的ZnO粉体具有较好的热稳定性.La,Pr扩渗后ZnO粉体的室温电阻率由1014Ω.cm分别下降到1.6×106Ω.cm和1.9×106Ω.cm,说明La,Pr扩渗可明显改善ZnO粉体的导电性能和应用性能.

一种易于分散的超细掺铝导电粉的制备与表征

以SnCl4·5H2O、SbCl3和AlCl3·6H2O为主要成分,酒石酸和十六烷基三甲基溴化铵为配位剂,氨水为沉淀剂,利用共沉淀法制备出导电粉的前驱体,600℃下煅烧得到一种易于分散的超细导电粉。经过电镜、粒度和导电性分析,该导电粉具有粒度较小、不易团聚和导电性好的特点;加入涂料中的隔热性测试显示,掺铝导电粉的隔热性优于未掺铝的导电粉。

Ga掺杂ZnO导电粉的制备与工艺优化

通过正交实验设计,对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化,确定出其最优参数为:掺杂比2mol%,反应温度85℃,反应时间10 h,煅烧温度550℃。利用XRD、SEM和XPS对样品的性能进行检测,结果表明,按此条件制备的掺杂样品,经测量其电阻率为3.3×104Ω.cm。

热处理对掺锑二氧化锡纳米导电粉粒度和性能的影响

ＳｎＯ２超细粉用作透明导电膜和导电涂料具有广阔的应用前景．以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ和ＳｂＣｌ３为原料,在掺杂浓度Ｓｂ２Ｏ３∶ＳｎＯ２＝９∶１００(重量比)的条件下,采用共沉淀法制得了纳米级的ＳｎＯ２超细粉．运用差示扫描量热法－失重分析(ＤＳＣ－ＴＧ)、Ｘ射线衍射(ＸＲＤ)、透射电镜(ＴＥＭ)和紫外可见光光谱分析(ＵＶ)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理工艺(温度、时间)对粉末颗粒度和电阻的影响规律,探讨了掺锑ＳｎＯ２导电粉的显色特性．

煅烧温度对Sn（Sb）O2包覆TiO2导电粉性能的影响

采用共沉淀法在亚微米级二氧化钛表面包覆Sn(Sb)O2，制得二氧化钛导电粉。用XRD、XPS、TG—DSC等测试手段对粉体进行了分析，讨论了不同煅烧温度对导电二氧化钛粉体的表面元素的变化、物相、体积电阻率的影响及原因。

热处理工艺对纳米级掺锑SnO_2导电粉结构和性能的影响

SnO2 超细粉用作透明导电膜和导电涂料具有广阔的应用前景。以SnCl4 ·5H2 O和SbCl3为原料 ,采用共沉淀法制得了纳米级的SnO2 超细粉。运用差示扫描量热法 -失重分析 (DSC -TG)、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)和紫外可见光光谱分析 (UV)等观测手段对微粉末进行了表征 ,比较系统地研究了热处理工艺 (温度、时间 )对粉末颗粒度和电阻的影响规律 ,探讨了掺锑SnO2

热处理温度对Sb:SnO_2导电粉结构和性能的影响

SnO2 超细粉用作透明导电膜和导电涂料具有广阔的应用前景。以SnCl4 ·5H2 O和SbCl3 为原料 ,采用共沉淀法制得了纳米级的SnO2 超细粉。运用差热 -失重分析 (DSC -TG)、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)和紫外光谱分析 (UV)等观测手段对微粉末进行了表征 ,比较系统地研究了热处理温度对粉末颗粒度和电阻的影响规律 ,探讨了Sb :SnO2