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掺氮类金刚石薄膜的导电性能及退火特性
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作者 张伟丽 居建华 +5 位作者 夏义本 范轶明 王林军 黄志明 郑国珍 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期97-100,共4页
对含氮的类金刚石薄膜的导电性能进行了研究,发现随着氮含量的增加,沉积薄膜的电导率增加较缓,且当氮含量达到一定值后,氮含量继续增加反而薄膜电导率有所下降.对薄膜进一步热处理,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高,... 对含氮的类金刚石薄膜的导电性能进行了研究,发现随着氮含量的增加,沉积薄膜的电导率增加较缓,且当氮含量达到一定值后,氮含量继续增加反而薄膜电导率有所下降.对薄膜进一步热处理,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高,而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降.文章通过分析退火前后薄膜的红外光谱,提出了充当施主杂质中心氮原子“激活”的概念和高掺杂后薄膜中氮原子形成a-CNx结构从而从微观结构解释了掺氮对类金刚石薄膜导电性电能的影响. 展开更多
关键词 掺氮类金刚石薄膜 导电性能 微观结构.
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表面传导电子发射显示技术与器件 被引量:1
2
作者 吴胜利 赵令国 熊斯梁 《真空电子技术》 2009年第6期1-6,共6页
对表面传导电子发射显示器件的原理、结构及其发展历程进行了分析,重点针对表面传导电子发射性能的改进,从导电薄膜结构方面进行了讨论,并对有可能降低表面传导电子发射显示器件成本的方法进行了简单的分析。
关键词 表面传导电子发射显示 导电薄膜结构 导电薄膜材料 纳米隙缝形成
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First-Principle Calculation of the Electronic Structure of Sb-Doped SrTiO_3 被引量:1
3
作者 贠江妮 张志勇 +1 位作者 邓周虎 张富春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1537-1542,共6页
The electronic structure,including band structure,density of states (DOS), and partial density of states of SrTi1-xSbxO3 with x = 0,0. 125,0.25,and 0.33 is calculated from the first principles of plane wave ultra-so... The electronic structure,including band structure,density of states (DOS), and partial density of states of SrTi1-xSbxO3 with x = 0,0. 125,0.25,and 0.33 is calculated from the first principles of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology based on density function theory. The calculated results reveal that due to the electron doping,the Fermi level moves into the conduction bands for SrTi1-xSbxO3 with x = 0. 125 and the system shows metallic behavior. In addition, the DOS moves towards low energy and the optical band gap is broadened. The wide band gap and the low density of the states in the conduction band result in the transparency of the films. 展开更多
关键词 first principles SRTIO3 Sb-doping electronic structure transparent films
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